[發明專利]基板處理方法在審
| 申請號： | 201410134307.0 | 申請日： | 2014-04-03 |
| 公開（公告）號： | CN104103496A | 公開（公告）日： | 2014-10-15 |
| 發明（設計）人： | 石橋知淳 | 申請（專利權）人： | 株式會社荏原制作所 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;B08B3/02;B08B1/00;B08B7/04 |
| 代理公司： | 上海市華誠律師事務所 31210 | 代理人： | 梅高強;劉煜 |
| 地址： | 日本國東京都*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 處理 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種基板處理方法，其特征在于，進行第1處理工序，在所述第1處理工序中一邊使基板旋轉，一邊將含有純水的液體供給于該基板，
在所述第1處理工序之后，進行第2處理工序，在所述第2處理工序中一邊使所述基板旋轉，一邊將所述液體供給于該基板，
所述第2處理工序是在所述基板的表面電勢的增加率比所述第1處理工序低的條件下進行的。
2.如權利要求1所述的基板處理方法，其特征在于，所述第2處理工序中的所述基板的旋轉速度低于所述第1處理工序中的所述基板的旋轉速度，或在所述第2處理工序中供給于所述基板的所述液體的流量少于在所述第1處理工序中供給于所述基板的所述液體的流量。
3.如權利要求1或2所述的基板處理方法，其特征在于，所述液體是純水。
4.如權利要求3所述的基板處理方法，其特征在于，所述純水是電阻率為15MΩ·cm以上的超純水。
5.如權利要求1或2所述的基板處理方法，其特征在于，所述液體是由超純水稀釋的藥液。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
