[發(fā)明專利]沉積裝置和制造有機發(fā)光二極管顯示器的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410133769.0 | 申請日: | 2014-04-03 |
| 公開(公告)號: | CN104120386B | 公開(公告)日: | 2018-10-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 朱星中;車裕敏;樸錫煥 | 申請(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/24 | 分類號: | C23C14/24;C23C14/04;C23C14/50;C23C14/56 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人: | 劉釗;周艷玲 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 沉積 裝置 制造 有機 發(fā)光二極管 顯示器 方法 | ||
一種沉積裝置和制造有機發(fā)光二極管顯示器的方法,該沉積裝置包括:沉積室;多個基底支架,包括被配置為將基底維持在沉積室中的第一基底位置的第一支架和被配置為將另一基底維持在沉積室中的第二基底位置的第二支架;沉積源,被設(shè)置在沉積室中,并被配置為供應(yīng)沉積材料以涂覆到放置在第一和第二基底位置的基底上;沉積源傳送機構(gòu),被配置為在第一方向上移動沉積源以與第一和第二基底中的一個相對;以及基底傳送機構(gòu),被配置為在第二方向上將基底傳送到第一基底位置或者從第一基底位置傳送,并進一步被配置為在第二方向上將另一基底傳送到第二基底位置或者從第二基底位置傳送。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及沉積裝置、包括該沉積裝置的沉積系統(tǒng)以及制造有機發(fā)光二極管顯示器的方法。
背景技術(shù)
有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器是一種平板顯示器,因為它具有自發(fā)光特性,并且不需要單獨的光源,從而可以被制造得重量輕且薄。特別是,OLED顯示器呈現(xiàn)了例如低功耗、高亮度、高響應(yīng)速度的品質(zhì)特性,因此,OLED顯示器作為下一代顯示裝置而備受矚目。
通常,OLED顯示器包括有機發(fā)光元件,有機發(fā)光元件包括陽極、有機發(fā)光層和陰極。空穴和電子分別從陽極和陰極注入,形成激子,激子躍遷到基態(tài),從而使有機發(fā)光二極管發(fā)光。
陽極和陰極可以由金屬薄膜或透明導(dǎo)電性薄膜形成,有機發(fā)光層可以由至少一種有機薄膜形成。真空沉積法可被用來在有機發(fā)光二極管顯示器的基底上形成這樣的有機薄膜、金屬薄膜等。通常,真空沉積法被用來形成有機薄膜、金屬薄膜等。在包括沉積源的沉積裝置中,沉積材料被插入到坩堝中,并被加熱以將沉積材料沉積在基底上,從而形成薄膜。
在此背景技術(shù)部分公開的上述信息僅用于增強對本發(fā)明背景的理解,因此其可能包含不構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)的信息。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個方面提供了能加工大致平行的多個基底并最小化例如基底和沉積掩模的對準(zhǔn)的加工待命時間和對準(zhǔn)時間以實現(xiàn)高生產(chǎn)率的沉積裝置、以及包括該沉積裝置的沉積系統(tǒng)。
另外,本發(fā)明的另一方面提供了使用沉積裝置和沉積系統(tǒng)的有機發(fā)光二極管顯示器的制造方法。
根據(jù)示例性實施例的沉積裝置包括:沉積室;多個基底支架,包括被配置為將基底維持在沉積室中的第一基底位置的第一支架和被配置為將另一基底維持在沉積室中的第二基底位置的第二支架;沉積源,被設(shè)置在沉積室中,并被配置為供應(yīng)沉積材料以涂覆到放置在第一和第二基底位置的基底上;沉積源傳送機構(gòu),被配置為在第一方向上移動沉積源以與第一和第二基底中的一個相對;基底傳送機構(gòu),被配置為在第二方向上將基底傳送到第一基底位置或者從第一基底位置傳送,并進一步被配置為在第二方向上將另一基底傳送到第二基底位置或者從第二基底位置傳送。
沉積室可進一步包括被配置為將至少一個沉積掩模傳送到被設(shè)置在第一基底位置和第一源位置之間的第一掩模位置和被設(shè)置在第二基底位置和第二源位置之間的第二掩模位置的掩模傳送機構(gòu)。
沉積室可進一步包括被附著到沉積室并被配置為儲存至少一個沉積掩模的掩模儲存室,掩模儲存室與掩模傳送機構(gòu)相連。
掩模傳送機構(gòu)可被提供在沉積室的沿第一方向的一側(cè)端中,并被配置為在掩模儲存室和沉積室之間沿第一方向移動掩模。
沉積室可進一步包括與掩模儲存室和沉積室相連并清潔沉積掩模的掩模清潔室。
掩模清潔室可以被提供在沉積室和掩模儲存室之間。
沉積室可進一步包括被配置為將各基底和沉積掩模對齊的對準(zhǔn)裝置。
掩模傳送機構(gòu)可包括在第一方向上延伸的一對導(dǎo)軌,沉積掩模包括形成有遮擋部分和開口的掩模主體和通過固定掩模主體由導(dǎo)軌支撐的框架,沉積掩模的框架可以進一步包括圍繞導(dǎo)軌的保護板。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于三星顯示有限公司,未經(jīng)三星顯示有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410133769.0/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:一種帶噴霧功能的灑水車
- 下一篇:一種臥式回轉(zhuǎn)筒冷卻機
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





