[發(fā)明專利]晶圓的切割方法和MEMS晶圓的切割方法

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• 申請日: 2014-04-03
• 公開（公告）號: CN104973562A
• 公開（公告）日: 2015-10-14
• 發(fā)明（設計）人: 肖啟明;江博淵
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;B28D5/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種晶圓的切割方法，其特征在于，包括：

提供待切割晶圓，所述待切割晶圓包括多條分別沿第一方向和第二方向延伸的切割道，所述第一方向和第二方向垂直；

在沿第一方向延伸的切割道內形成沿第一方向的第一凹槽；

在沿第二方向延伸的切割道內形成沿第二方向的第二凹槽；

形成所述第一凹槽和第二凹槽后，分別沿所述第一凹槽和第二凹槽繼續(xù)切割所述待切割晶圓，直至切割透所述待切割晶圓。

2.如權利要求1所述的晶圓的切割方法，其特征在于，所述第一凹槽和第二凹槽的深度為所述待切割晶圓厚度的55%～85%。

3.如權利要求1所述的晶圓的切割方法，其特征在于，在沿第二方向延伸的切割道內形成沿第二方向的第二凹槽的步驟包括：

在沿第二方向延伸的各切割道內，形成兩條平行的所述第二凹槽。

4.如權利要求3所述的晶圓的切割方法，其特征在于，在沿第一方向延伸的切割道內形成沿第一方向的第一凹槽的步驟包括：

在沿第一方向延伸的各切割道內，形成兩條平行的所述第一凹槽。

5.如權利要求3所述的晶圓的切割方法，其特征在于，

在沿第一方向延伸的切割道內形成沿第一方向的第一凹槽的步驟包括：在沿第一方向延伸的切割道內形成一條所述第一凹槽；

在沿第二方向延伸的各切割道內，形成兩條平行的所述第二凹槽的步驟之后繼續(xù)沿所述第二凹槽切割所述待切割晶圓，直至切割透所述待切割晶圓；在沿第一方向延伸的切割道內再形成一條第一凹槽，并繼續(xù)切割所述第一凹槽，直至切割透所述待切割晶圓。

6.如權利要求1所述的晶圓的切割方法，其特征在于，在形成第一凹槽和第二凹槽之后，在切割透所述待切割晶圓之前還包括：進行清洗步驟。

7.如權利要求1所述的晶圓的切割方法，其特征在于，在沿第一方向延伸的切割道內形成沿第一方向的第一凹槽的步驟包括：在沿第一方向延伸的切割道內形成一條沿第一方向的第一凹槽；

在沿第二方向延伸的切割道內形成沿第二方向的第二凹槽的步驟包括：在沿第二方向延伸的切割道內形成一條沿第二方向的第二凹槽。

8.一種MEMS晶圓的切割方法，其特征在于，包括：

提供第一晶圓，所述第一晶圓的第一表面上包括多個呈陣列排列的芯片；提供第二晶圓，所述第二晶圓包括第一表面，在所述第二晶圓的第一表面上包括多個呈陣列排列的空腔，其中，相鄰行方向上空腔之間形成有沿行方向延伸的切割道，相鄰列方向上空腔之間形成有沿列方向延伸的切割道；所述第一晶圓的第一表面和第二晶圓的第一表面固定連接，且各個芯片位于各空腔內；

在沿列方向延伸的切割道內形成沿列方向的第一凹槽；

在沿行方向延伸的切割道內形成沿行方向的第二凹槽；

形成所述第一凹槽和第二凹槽后，分別沿所述第一凹槽和第二凹槽繼續(xù)切割所述第二晶圓，直至切割透所述第二晶圓。

9.如權利要求8所述的MEMS晶圓的切割方法，其特征在于，在沿行方向延伸的切割道內形成沿行方向的第二凹槽的步驟包括：

在沿行方向延伸的各切割道內，形成兩條平行的所述第二凹槽。

10.如權利要求9所述的MEMS晶圓的切割方法，其特征在于，在沿列方向延伸的切割道內形成沿行方向的第一凹槽的步驟包括：

在沿列方向延伸的各切割道內，形成兩條平行的所述第一凹槽。

11.如權利要求9所述的MEMS晶圓的切割方法，其特征在于，

在沿列方向延伸的切割道內形成沿列方向的第一凹槽的步驟包括：

在沿列方向延伸的切割道內形成一條所述第一凹槽；

在沿行方向延伸的各切割道內，形成兩條平行的所述第二凹槽的步驟之后繼續(xù)沿所述第二凹槽切割所述第二晶圓，直至切割透所述第二晶圓；

在沿列方向延伸的切割道內再形成一條第一凹槽，并繼續(xù)切割所述第一凹槽，直至切割透所述第二晶圓。

12.如權利要求8所述的MEMS晶圓的切割方法，其特征在于，在形成第一凹槽和第二凹槽之后，在切割透所述待切割晶圓之前還包括：進行清洗步驟。

13.如權利要求8所述的MEMS晶圓的切割方法，其特征在于，在沿列方向延伸的切割道內形成沿列方向的第一凹槽的步驟包括：在沿列方向延伸的切割道內形成一條沿列方向的第一凹槽；

在沿行方向延伸的切割道內形成沿行方向的第二凹槽的步驟包括：在沿行方向延伸的切割道內形成一條沿行方向的第二凹槽。