[發(fā)明專利]一種自組裝球型陣列的SERS基底及制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410133245.1 | 申請日: | 2014-04-03 |
| 公開(公告)號: | CN103938158A | 公開(公告)日: | 2014-07-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李康;徐宗偉;房豐洲;林楓;劉婷;李云濤 | 申請(專利權(quán))人: | 天津大學(xué) |
| 主分類號: | C23C14/14 | 分類號: | C23C14/14;C23C14/02;G01N21/65;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 天津市北洋有限責(zé)任專利代理事務(wù)所 12201 | 代理人: | 程毓英 |
| 地址: | 300072*** | 國省代碼: | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 組裝 陣列 sers 基底 制備 方法 | ||
1.一種自組裝球型陣列的SERS基底,在經(jīng)過清洗和親水性改性處理的基片上設(shè)置有一層密排列的納米微球陣列作為SERS基底的支撐層,再在支撐層上蒸鍍一層活性貴金屬層薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SERS基底,其特征在于,納米微球為聚苯乙烯或二氧化硅納米微球。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SERS基底,其特征在于,所述的基片可由單晶硅、多晶硅、二氧化硅、氮化硅或鉻材料制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SERS基底,其特征在于,所述活性層貴族金屬為金、銀、銅、鉻貴族金屬。
5.一種自組裝球型陣列的SERS基底的制備方法,包括下列步驟:
(1)配制食人魚洗液及氨水和過氧化氫的混合溶液;
(2)配制一定濃度的納米球溶液;
(3)將基片先后浸入食人魚洗液及氨水和過氧化氫的混合溶液進(jìn)行超聲處理,去除Si片表面有機(jī)物的殘留的同時使其有極好的親水性;
(4)移取配制好的納米球溶液垂直滴在基片上,待自然風(fēng)干,使納米球發(fā)生自組裝,溶液蒸發(fā)后形成緊密排列的納米微球陣列,以此作為SERS基底的支撐層;
(5)在支撐層上蒸鍍貴族金屬薄膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法,其特征在于,按照98%濃H2SO4:30%H2O2=3:1的體積比配制食人魚洗液,按照H2O:NH4OH:30%H2O2=5:1:1的體積比配制氨水和過氧化氫的混合溶液。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法,其特征在于,步驟(2)中,納米球溶液的濃度選擇范圍為w/v=0.05%-5%,納米球為聚苯乙烯或二氧化硅納米微球。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法,其特征在于,所述的基片由單晶硅、多晶硅、二氧化硅、氮化硅或鉻材料制成。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法,其特征在于,步驟(5)中活性貴金屬層的蒸鍍方法采用離子真空蒸發(fā)鍍膜法、磁控濺射法、電子束蒸發(fā)或熱蒸鍍方法。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法,其特征在于,步驟(5)中,將完成自組裝的基片放入離子蒸發(fā)鍍膜設(shè)備,控制真空度范圍1×10-2mbar-2×10-2mbar、離子電流強(qiáng)度范圍為1mA-10mA和控制鍍膜時間,在基片上蒸鍍貴族金屬薄膜。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





