[發明專利]光學鄰近校正方法以及優化光學鄰近校正模型的方法

有效

• 申請號: 201410131227.X
• 申請日: 2014-04-02
• 公開（公告）號: CN104977797B
• 公開（公告）日: 2019-04-26
• 發明（設計）人: 程仁強;王輝
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種光學鄰近校正方法，其特征在于，包括：

提供包括第一區域、第二區域和第三區域的襯底，所述第二區域與第一區域以及第三區域相鄰接，第一區域的襯底為第一材料層以及位于第一材料層表面的第二材料層的疊層結構，第二區域的襯底為第一材料層以及位于第一材料層表面的第二材料層的疊層結構，第三區域的襯底為第一材料層，其中，在沿第二區域指向第三區域的方向上，第二區域的第二材料層厚度逐漸減小，第二區域的第一材料層的厚度逐漸增加，且第二材料層的材料的透光率大于第一材料層的材料的透光率；

提供目標圖形；

獲取襯底第一區域、第二區域和第三區域的空間像光強函數，其中，所述空間像光強函數為校正函數與標準空間像光強函數的卷積，所述校正函數為連續函數，所述標準空間像光強函數反映裸襯底表面的光強分布情況，所述裸襯底為未形成有半導體結構的襯底；獲取所述校正函數的方法為：根據襯底內第二材料層的厚度、以及第二材料層的材料，獲取空間像光強分布隨襯底內第二材料層厚度變化的變化關系函數；

基于所述獲取的空間像光強函數建立光學鄰近校正模型，依據所述光學鄰近校正模型對所述目標圖形進行光學鄰近校正。

2.如權利要求1所述光學鄰近校正方法，其特征在于，所述第一材料層的材料為硅、鍺、鍺化硅或砷化鎵，所述第二材料層的材料為氧化硅。

3.如權利要求1所述光學鄰近校正方法，其特征在于，所述目標圖形為待形成在襯底表面的圖形，且所述目標圖形的線端位于第一區域、第二區域或第三區域襯底表面。

4.如權利要求1所述光學鄰近校正方法，其特征在于，所述光學鄰近校正模型包括光學模型和光刻膠模型。

5.如權利要求4所述光學鄰近校正方法，其特征在于，基于所述空間像光強函數建立光學模型。

6.如權利要求5所述光學鄰近校正方法，其特征在于，提供標準光學模型，所述標準光學模型中包括標準空間像光強函數。

7.如權利要求1所述光學鄰近校正方法，其特征在于，所述校正函數為高斯核函數。

8.如權利要求7所述光學鄰近校正方法，其特征在于，所述光學模型為高斯核函數模型和標準光學模型的乘積。

9.如權利要求4所述光學鄰近校正方法，其特征在于，建立所述光刻膠模型的方法為：基于所述空間像光強函數和高斯函數的卷積建立光刻膠模型，其中，高斯函數具有標準偏差。

10.一種優化光學鄰近校正模型的方法，其特征在于，包括：

提供包括第一區域、第二區域和第三區域的襯底，所述第二區域與第一區域以及第三區域相鄰接，第一區域的襯底為第一材料層以及位于第一材料層表面的第二材料層的疊層結構，第二區域的襯底為第一材料層以及位于第一材料層表面的第二材料層的疊層結構，第三區域的襯底為第一材料層，其中，在沿第二區域指向第三區域的方向上，第二區域的第二材料層厚度逐漸減小，第二區域的第一材料層的厚度逐漸增加，且第二材料層的材料的透光率大于第一材料層的材料的透光率；

獲取襯底第一區域、第二區域和第三區域的空間像光強函數，其中，所述空間像光強函數為校正函數與標準空間像光強函數的卷積，所述校正函數為連續函數，所述標準空間像光強函數反映裸襯底表面的光強分布情況，所述裸襯底為未形成有半導體結構的襯底；獲取所述校正函數的方法為：根據襯底內第二材料層的厚度、以及第二材料層的材料，獲取空間像光強分布隨襯底內第二材料層厚度變化的變化關系函數；

基于所述獲取的空間像光強函數建立光學鄰近校正模型；

提供若干組測試圖形；

基于所述光學鄰近校正模型對所述測試圖形進行模擬曝光顯影，獲取模擬最終圖形；

對所述測試圖形進行實際曝光顯影，在所述襯底表面形成實際最終圖形；

獲取所述模擬最終圖形與實際最終圖形之間的差異性，若所述差異性在預定范圍外，調整所述光學鄰近校正模型，直至模擬最終圖形與實際最終圖形之間的差異性在預定范圍內，生成優化后的光學鄰近校正模型。