[發(fā)明專利]TaVCN硬質(zhì)納米結(jié)構(gòu)薄膜及制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410131115.4
• 申請(qǐng)日: 2014-04-02
• 公開（公告）號(hào): CN103924190A
• 公開（公告）日: 2014-07-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 喻利花;許俊華;黃婷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇科技大學(xué)
• 主分類號(hào): C23C14/06
• 分類號(hào): C23C14/06;C23C14/34
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 32200
• 代理人: 樓高潮

1.一種TaVCN硬質(zhì)納米結(jié)構(gòu)薄膜，其特征在于，所述的薄膜采用多靶共焦射頻反應(yīng)濺射法沉積在硬質(zhì)合金或陶瓷基體上制備得到，所述的薄膜分子式表示為(Ta,V)CN，薄膜厚度在1-3μm。

2.一種根據(jù)權(quán)利要求1所述的TaVCN硬質(zhì)納米結(jié)構(gòu)薄膜的制備方法，其特征在于，采用多靶共焦射頻反應(yīng)濺射法沉積在硬質(zhì)合金或陶瓷基體上制備得到，沉積時(shí)，真空度優(yōu)于3.0×10^-3Pa,以氬氣起弧，氮?dú)鉃榉磻?yīng)氣體進(jìn)行沉積，濺射氣壓0.3Pa、氬氮流量比10:（2-5），Ta靶功率為80-150W，C靶功率為40-60W，V靶功率為0-100W，V含量為0-40at.%。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TaVCN硬質(zhì)納米結(jié)構(gòu)薄膜的制備方法，其特征在于，在基體上預(yù)先沉積純Ta作為過(guò)渡層。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TaVCN硬質(zhì)納米結(jié)構(gòu)薄膜的制備方法，其特征在于，Ta靶功率為80-150W，C靶功率為40-60W，V靶功率為0-100W。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TaVCN硬質(zhì)納米結(jié)構(gòu)薄膜的制備方法，其特征在于，Ta靶功率100W，C靶功率為60W，V靶功率為0-100W。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TaVCN硬質(zhì)納米結(jié)構(gòu)薄膜的制備方法，其特征在于，Ta靶功率100W，C靶功率為60W，V靶功率為40-100W。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TaVCN硬質(zhì)納米結(jié)構(gòu)薄膜的制備方法，其特征在于，Ta靶功率100W，C靶功率為60W，V靶功率為80W。