[發明專利]對準標記及其對準方法

有效

• 申請號: 201410130687.0
• 申請日: 2014-03-28
• 公開（公告）號: CN104952851B
• 公開（公告）日: 2017-11-14
• 發明（設計）人: 舒強
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237
• 代理人: 屈蘅,李時云

1.一種對準標記，用于光刻工藝的對準，所述對準標記包括一組形成于半導體襯底上的主標記，所述主標記包括沿第一方向的第一主標記和沿第二方向的第二主標記，所述第一方向和第二方向垂直，其特征在于，所述第一主標記包括N組第一子標記，所述第一子標記為光柵結構，所述N組第一子標記在第二方向組合排列；所述第二主標記包括N組第二子標記，所述第二子標記為光柵結構，所述N組第二子標記在第一方向組合排列；所述N為該次光刻工藝需要對準的膜層的數量；所述需要對準的膜層中皆形成有一組第一子標記和第二子標記。

2.如權利要求1所述的對準標記，其特征在于，所述第一方向為水平方向，所述第二方向為豎直方向。

3.如權利要求2所述的對準標記，其特征在于，所述光柵結構包括多組光柵。

4.如權利要求1所述的對準標記，其特征在于，所述第一主標記和第二主標記的長度為700～800μm，寬度為50～100μm。

5.如權利要求1所述的對準標記，其特征在于，每組第一子標記的尺寸相同，每組第二子標記的尺寸相同。

6.如權利要求5所述的對準標記，其特征在于，每組子標記的第一子標記和第二子標記的長度為700～800μm，寬度為50/N～100/Nμm。

7.一種使用權利要求1～6中任意一項所述的對準標記的對準方法，所述對準方法包括：

在需要對準的第一層膜層中形成一組第一子標記和一組第二子標記；

形成至最后一層需要對準的膜層中的各組第一子標記和第二子標記，以形成所述主標記；

利用所述主標記進行光刻工藝的對準。

8.一種使用權利要求7中所述的對準標記的對準方法，其特征在于，各組第一子標記和第二子標記在其所在膜層的圖案化過程中形成。