[發明專利]一種植物祛痘面膜膏及其制作方法

在審

• 申請號: 201410129984.3
• 申請日: 2014-04-02
• 公開（公告）號: CN104224680A
• 公開（公告）日: 2014-12-24
• 發明（設計）人: 冷軍程
• 申請（專利權）人: 廣州奧蓓斯化妝品有限公司
• 主分類號: A61K8/99
• 分類號: A61K8/99;A61K8/97;A61Q19/00;A61P17/10
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 張帥

技術領域

?????本發明涉及日用護理產品領域，尤其涉及一種植物祛痘面膜膏及其制作方法。?

背景技術

?青春痘，是一種毛囊皮脂腺的慢性炎癥，好發于顏面、胸背，多見于青年男女，給很多愛美人士帶來了困擾。長痘原因，多與雄激素、皮脂腺和毛囊內微生物密切相關。此外，遺傳、飲食、胃腸功能、環境因素、精神因素及化妝品亦與本病的發病有關。一般治療方法主要是通過改變飲食習慣來達到一定程度上減輕癥狀的目的，如果遇到嚴重的情況時，就得配合藥物進行治療，醫療領域常用的冶療青春痘的主要藥物有：過氧化苯甲酰、米諾環素、四環素、紅霉素、阿奇霉素、克拉霉素、克林霉素、甲硝唑等，而這些產品功效單一，不但效果不顯著，而且還具有一定的副作用，這樣患者在使用過后，有可能更為嚴重，這樣就違背了治療的初衷。日常護理領域常用：黃柏、茯苓、金銀花、薄公英、苦參、黃芩等提取物作為去痘劑應用于化妝品，但這類提取物在提取的過程中不但會損耗掉大量的活性成分，而且因為提取工工藝自身復雜，導致價格居高不下。?

?申請號為“201110162511.X”的中國專利中，公開了名稱為“祛痘配方”的發明專利，主要成分由0.25g?苦杏仁、0.15g?珍珠粉、0.45g?防風、0.25g?蛇蛻、0.25g?白芍、0.35g?金銀花、55g/L?偏氯酸鈉溶液、10.5％硫酸溶液及0.15g?蘆薈精華液組成。該配方產品功效單一，不但效果不顯著，而且含有偏氯酸鈉溶液、硫酸溶液等組分具有一定的副作用，會對皮膚造成傷害。?

????申請號為“201310262772.8”的中國專利中，公開了名稱為“一種中藥祛痘面膜及其制備方法”的發明專利。其配方為：當歸50～100?份、白芷10～20?份、白艿20～30?份、黃岑15～25?份、大黃10～20份。其制備方法為：1）將當歸洗凈，在80～100℃的溫度下反復熬煮1～3?次，每次20～60?分鐘，過濾，濾液濃縮后的相對密度為1.1～1.3，制得濃縮液；2）按配方的重量份稱取其它原料，洗凈、干燥后，粉粹至100～300?目，混合均勻，制得混合料；3）將步驟2）制得的混合料加入適量的水研成糊狀，再加入步驟1）制得的濃縮液攪拌均勻，即得。該中藥祛痘面膜雖然也屬中藥配方，適用于對皮膚無刺激性，但是其祛痘功效不太明顯，并且其制造工藝過于粗糙，造成使用時不太方便。?

發明內容

為了解決上述問題，本發明公開了一種植物祛痘面膜膏及其制作方法，接采用中草藥為原料，直接添加到祛痘面膜膏膏中，具有純天然性高，使用安全，祛痘效果好的優點，并且不需要復雜的提取工藝，保證了中藥的活性，降低了產品的生產成本。?

一種植物祛痘面膜膏，其特征在于，原材料包括（按重量百分比）：中草藥組分1～50%，油相組分12～35%，水相組分20%～80%，pH調節劑0.01%～3%，其它助劑0.1%～5%，所述的中藥祛痘組分（按重量百分比）包括：茯苓0.1%～30.0%，蒼術0.1%～30.0%，春黃菊0.1%～30.0%，桑葉0.1%～30.0%，大黃0.1%～30.0%，艾葉0.1%～30.0%，薄荷0.1%～30.0%，貝母0.1%～30.0%，黃柏0.1%～30.0%，白芨0.1%～30.0%，苦參0.1%～30.0%。?

進一步的，所述的油相組分（按重量百分比）包括：鯨蠟硬脂醇1%～3%，甘油硬脂酸酯0.3%～3%，PEG-100硬脂酸0.3%～3%，硬脂酸0.3%～2%，異壬酸異壬酯0.5%～15%，角鯊烷0.5%～15%，聚二甲基硅氧烷0.5%～5%。?

進一步的，所述的水相組分（按重量百分比）包括：水0%～85%，丁二醇1%～15%，丙烯酸(酯)類共聚物0.2%～2.5%。?

進一步的，所述的pH調節劑（按重量百分比）包括：三乙醇胺0.2%～2.5%，檸檬酸0.01～0.5%。?

進一步的，所述的其它助劑包括防腐劑、香料等。?

一種植物祛痘面膜膏的制作方法，制作工藝依次包括以下步驟：?

1）將中草藥組分用清水清洗干凈后曬干；

2）將曬干后的中藥用研磨機磨碎后用100目濾篩過篩；

3）將油相組分加入到油相組分鍋中加熱至70～90℃，攪拌至完全溶解；

4）將水相組分加入到水相組分鍋中，開啟開散器，分散至完全均勻；

5）快速攪拌下，將分散均勻的水相組分加熱至80～95℃；