[發明專利]一種存儲器編程方法和系統

有效

• 申請號: 201410129771.0
• 申請日: 2014-04-01
• 公開（公告）號: CN104979006B
• 公開（公告）日: 2019-04-26
• 發明（設計）人: 胡洪;卜爾龍
• 申請（專利權）人: 北京兆易創新科技股份有限公司
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319
• 代理人: 趙娟

1.一種存儲器編程方法，其特征在于，所述存儲器外接有預先設置的外部電源轉接板，所述存儲器包括多個存儲單元，

所述方法包括：

所述存儲器在接收到編程指令后，確定所述編程指令對應的，需要被執行編程操作的多字節存儲單元；

所述存儲器向所述外部電源轉接板發送針對所述編程指令生成的編程使能信號；

所述存儲器接收所述外部電源轉接板在接收到所述編程使能信號之后輸出的，與所述編程使能信號相對應的編程電壓；

所述存儲器將所述編程電壓施加到所述多字節存儲單元的漏極，對所述多字節存儲單元執行編程操作；

所述編程指令包括編程數據，所述存儲器上設有第一接口，所述外部電源轉接板上設有第二接口，所述第一接口和所述第二接口相連接，

所述存儲器向所述外部電源轉接板發送針對所述編程指令生成的編程使能信號的步驟包括：

所述存儲器獲取所述編程數據的字節數，并根據預先設置的字節數與漏極編程電壓強度的映射關系確定與所述字節數對應的漏極編程電壓強度，將所述漏極編程電壓強度確定為對所述存儲器進行編程操作所需的漏極編程電壓強度；

所述存儲器生成包括所述漏極編程電壓強度的編程使能信號，并通過所述第一接口和所述第二接口向所述外部電源轉接板發送所述編程使能信號。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述外部電源轉接板的輸出電壓包括多個級別強度的編程電壓，每個級別強度的編程電壓分別具有自身對應的開關，

所述編程電壓通過如下方式輸出：

所述外部電源轉接板確定所述漏極編程電壓強度所對應級別強度的編程電壓，并開啟所述級別強度的編程電壓所對應的開關，將所述級別強度的編程電壓輸出至所述存儲器。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述編程指令中包括編程起始地址和編程數據，

所述確定所述編程指令對應的，需要被執行編程操作的多字節存儲單元的步驟包括：

所述存儲器將所述編程起始地址對應的存儲單元確定為當前存儲單元，將所述編程數據的第一個比特確定為當前比特；

所述存儲器將當前存儲單元的數據與當前比特的數據進行比對；

如果所述當前存儲單元的數據為邏輯1，所述當前比特的數據為邏輯0，則所述存儲器確定所述當前存儲單元為需要被執行編程操作的存儲單元；

將下一個存儲單元確定為當前存儲單元，將下一個比特確定為當前比特，并返回所述將當前存儲單元的數據與當前比特的數據進行比對的步驟，直至所述編程數據的所有比特全部比對完為止。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述存儲器還包括靜態隨機存儲器SRAM，

在所述確定所述編程指令對應的，需要被執行編程操作的多字節存儲單元的步驟之前，還包括：

所述存儲器將所述編程數據存儲至所述SRAM；

所述當前存儲單元的數據為所述存儲器從所述當前存儲單元讀出的數據，所述當前比特的數據為所述存儲器從所述SRAM讀出的數據。