[發明專利]薄膜晶體管及其制備方法、雙面顯示器件、單面顯示器件

在審

• 申請號: 201410129681.1
• 申請日: 2014-04-01
• 公開（公告）號: CN103943477A
• 公開（公告）日: 2014-07-23
• 發明（設計）人: 張斌;劉震;孫冰;曹占鋒
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336;H01L29/786
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種薄膜晶體管的制備方法，包括柵極的制備，其特征在于，所述柵極的制備包括：

將基板浸沒于銀氨溶液中，滴加還原試劑，通過銀鏡反應在所述基板的兩個表面上均形成第一銀膜；

使所述基板兩個表面上的第一銀膜均形成柵極。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，還包括源極和漏極的制備，所述源極和漏極的制備包括：

將兩個表面均形成有所述柵極、柵極絕緣層、有源層的所述基板浸沒于銀氨溶液中，滴加還原試劑，通過銀鏡反應在所述基板兩側的有源層上均形成第二銀膜；

使所述基板兩側的所述第二銀膜均分別形成源極和漏極。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，還包括源極和漏極的制備，所述源極和漏極的制備包括：

將兩個表面均形成有所述柵極、柵極絕緣層、有源層、接觸層的所述基板浸沒于銀氨溶液中，滴加還原試劑，通過銀鏡反應在所述基板兩側的接觸層上均形成第二銀膜；

使所述基板兩側的所述第二銀膜均分別形成源極和漏極。

4.根據權利要求1-3任一項所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，

所述還原試劑選自葡糖糖溶液、甲醛、乙醛和甲酸中的一種或幾種。

5.根據權利要求1-3任一項所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，

所述銀氨溶液的配置包括：采用1～10wt%的AgNO₃溶液與1～10wt%的氨水溶液配置銀氨溶液；或

所述還原試劑的濃度為：2～20wt%；或

控制所述銀鏡反應的pH為7～12；或

控制所述銀鏡反應的溫度為50～80℃。

6.根據權利要求1-3任一項所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，

控制所述銀鏡反應的pH為9～10。

7.一種薄膜晶體管的制備方法，包括柵極的制備，其特征在于，所述柵極的制備包括：

將基板浸沒于銀氨溶液中，滴加還原試劑，通過銀鏡反應在所述基板的兩個表面上均形成第一銀膜；

去除所述基板上一個表面上的第一銀膜，保留所述基板上另一個表面上的第一銀膜；

使保留的第一銀膜形成柵極。

8.根據權利要求7所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，還包括源極和漏極的制備，所述源極和漏極的制備包括：

將形成有所述柵極、柵極絕緣層、有源層的所述基板浸沒于銀氨溶液中，滴加還原試劑，通過銀鏡反應在所述有源層上形成第二銀膜；

使所述基板兩側的所述第二銀膜均分別形成源極和漏極。

9.根據權利要求7所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，還包括源極和漏極的制備，所述源極和漏極的制備包括：

將形成有所述柵極、柵極絕緣層、有源層、接觸層的所述基板浸沒于銀氨溶液中，滴加還原試劑，通過銀鏡反應在所述接觸層上形成第二銀膜；

使所述基板上的所述第二銀膜分別形成源極和漏極。

10.根據權利要求7-9任一項所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，

所述還原試劑選自葡糖糖溶液、甲醛、乙醛和甲酸中的一種或幾種。

11.根據權利要求7-9任一項所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，

所述銀氨溶液的配置包括：采用1～10wt%的AgNO₃溶液與1～10wt%的氨水溶液配置銀氨溶液；或

所述還原試劑的濃度為：2～20wt%；或

控制所述銀鏡反應的pH為7～12；或

控制所述銀鏡反應的溫度為50～80℃。

12.根據權利要求7-9任一項所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，

控制所述銀鏡反應的pH為9～10。

13.一種薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管為根據權利要求1-6任一項所述的薄膜晶體管的制備方法制備而成。

14.一種薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管為根據權利要求7-12任一項所述的薄膜晶體管的制備方法制備而成。

15.一種單面顯示器件，其特征在于，所述顯示器件包括權利要求13所述的薄膜晶體管。

16.一種雙面顯示器件，其特征在于，所述顯示器件包括權利要求14所述的薄膜晶體管。