[發明專利]制造石墨烯的方法及通過所述方法制造的石墨烯

有效

• 申請號: 201410129601.2
• 申請日: 2014-03-27
• 公開（公告）號: CN104229776B
• 公開（公告）日: 2017-01-11
• 發明（設計）人: 崔珉碩;金泰亨;文振山;鄭明姬
• 申請（專利權）人: LG電子株式會社
• 主分類號: C01B31/04
• 分類號: C01B31/04
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司11219
• 代理人: 陳海濤,穆德駿

1.一種制造石墨烯的方法，包括：

準備熱膨脹補償基底；

在所述熱膨脹補償基底上形成金屬層；以及

在所述金屬層上形成石墨烯。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述熱膨脹補償基底包含熱膨脹控制物質。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述熱膨脹控制物質包含碳化硅(SiC)、石墨、石墨烯、碳納米管、金剛石、M₂B₃O₁₂、AX₂O₈和A₂P₂WO₁₂中的至少一種，

其中M表示Al、Sc、In、Y、Zr、Hf或鑭系金屬，B表示W、Mo或P，X表示W或Mo，且A表示Zr或Hf。

4.根據權利要求2所述的方法，其中所述熱膨脹控制物質具有-50ppm/K至5ppm/K的熱膨脹系數。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述熱膨脹補償基底的準備包括在支撐基底上形成熱膨脹控制物質。

6.根據權利要求5所述的方法，其中所述支撐基底包含硅(Si)、二氧化硅(SiO2)、藍寶石和石英中的至少一種。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述熱膨脹補償基底和所述金屬層的組合層具有-20ppm/K至10ppm/K的熱膨脹系數。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述熱膨脹補償基底補償所述金屬層和所述石墨烯之間的熱膨脹之差。

9.一種制造石墨烯的方法，包括：

準備熱膨脹補償基底，其包含熱膨脹控制物質；

在所述熱膨脹補償基底上形成金屬層；以及

在所述金屬層上形成石墨烯，

其中所述熱膨脹控制物質具有比所述金屬層更低的熱膨脹系數，或具有負熱膨脹系數。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述熱膨脹控制物質包含碳化硅(SiC)、石墨、石墨烯、碳納米管、金剛石、M₂B₃O₁₂、AX₂O₈和A₂P₂WO₁₂中的至少一種，

其中M表示Al、Sc、In、Y、Zr、Hf或鑭系金屬，B表示W、Mo或P，X表示W或Mo，且A表示Zr或Hf。

11.根據權利要求9所述的方法，其中所述熱膨脹控制物質具有-50ppm/K至5ppm/K的熱膨脹系數。

12.根據權利要求9所述的方法，其中所述熱膨脹補償基底和所述金屬層的組合層具有-20ppm/K至10ppm/K的熱膨脹系數。

13.根據權利要求9所述的方法，其中將所述熱膨脹控制物質設置在支撐基底上。

14.根據權利要求13所述的方法，其中所述支撐基底包含硅(Si)、二氧化硅(SiO2)、藍寶石和石英中的至少一種。

15.根據權利要求9所述的方法，其中所述熱膨脹控制物質直接接觸所述金屬層。

16.一種制造石墨烯的方法，包括：

準備熱膨脹補償基底，其包含支撐基底和設置在所述支撐基底上的熱膨脹控制物質，其中所述熱膨脹控制物質具有-50ppm/K至5ppm/K的熱膨脹系數；

在所述熱膨脹補償基底上形成金屬層；以及

在所述金屬層上形成石墨烯。

17.根據權利要求16所述的方法，其中所述熱膨脹控制物質包含碳化硅(SiC)、石墨、石墨烯、碳納米管、金剛石、M₂B₃O₁₂、AX₂O₈和A₂P₂WO₁₂中的至少一種，

其中M表示Al、Sc、In、Y、Zr、Hf或鑭系金屬，B表示W、Mo或P，X表示W或Mo，A表示Zr或Hf。