[發明專利]功率放大管的供電控制裝置及其上電、下電控制方法

在審

• 申請號: 201410129257.7
• 申請日: 2014-04-01
• 公開（公告）號: CN103956979A
• 公開（公告）日: 2014-07-30
• 發明（設計）人: 凌興鋒;龍潤堅;劉江濤;黃建安
• 申請（專利權）人: 京信通信系統（中國）有限公司;京信通信系統（廣州）有限公司;京信通信技術（廣州）有限公司;天津京信通信系統有限公司
• 主分類號: H03F3/20
• 分類號: H03F3/20;H03F3/189;H03K17/08
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 黃曉慶

1.一種功率放大管的供電控制裝置，其特征在于，包括：MCU模塊，溫度采樣模塊，電壓DAC模塊，電源模塊，漏極供電控制模塊；

所述溫度采樣模塊用于采集功率放大管的工作溫度，MCU模塊根據所述工作溫度獲取負電壓值對應的數字量，電壓DAC模塊將所述數字量轉換為模擬電壓供給功率放大管的柵極；其中，MCU模塊分別通過電壓DAC模塊連接功率放大管的柵極，通過漏極供電控制模塊連接功率放大管的漏極，以及通過溫度采樣模塊連接功率放大管，所述電壓DAC模塊與功率放大管的柵極之間還連接運算放大器；

在向功率放大管的柵極供給模擬電壓前，MCU模塊通知漏極供電控制模塊根據設定的上電時序控制電源模塊供給相應電壓至功率放大管的漏極；

在關閉功率放大管時，MCU模塊首先通知漏極供電控制模塊根據設定的下電時序控制電源模塊供給相應電壓至功率放大管的漏極，然后控制電壓DAC模塊輸出最大的負電壓供給功率放大管的柵極，關閉功率放大管的供電。

2.根據權利要求1所述的功率放大管的供電控制裝置，其特征在于，MCU模塊根據溫度采樣模塊采集的工作溫度，從預存的溫度-負電壓對照表中查找出功率放大管所需的負電壓值。

3.根據權利要求1所述的功率放大管的供電控制裝置，其特征在于，所述MCU模塊，溫度采樣模塊，電壓DAC模塊，漏極供電控制模塊分別連接SPI總線。

4.根據權利要求1至3任一項所述的功率放大管的供電控制裝置，其特征在于，所述功率放大管的數量至少為1個。

5.根據權利要求1所述的功率放大管的供電控制裝置，其特征在于，所述功率放大管為GaN HEMT或GaAs功率放大管。

6.一種功率放大管的上電控制方法，基于權利要求1至5任一項所述的供電控制裝置上實現，其特征在于，包括如下步驟：

S11，控制電壓DAC模塊輸出0V電壓至功率放大器的柵極，并控制電源模塊輸出0V電壓至功率放大管的漏極；

S12，控制電壓DAC模塊的輸出電壓先達到功率放大器的柵極所需的最大電壓值；

S13，控制電源模塊的輸出電壓后達到功率放大器的漏極所需的電壓值；

S14，確定功率放大器柵極的靜流電壓，并控制電壓DAC模塊輸出所述靜流電壓；

S15，開啟上變頻信號開關，開啟射頻信號。

7.根據權利要求6所述的功率放大管的上電控制方法，其特征在于，還包括：

S16，判斷是否需要改變功率放大器的柵極電壓值；若是，返回執行S14，若否，執行S17；

S17，根據柵極電壓的溫度補償控制電壓DAC模塊輸出相應補償電壓值。

8.一種功率放大管的下電控制方法，基于權利要求1至5任一項所述的供電控制裝置上實現，其特征在于，包括如下步驟：

S21，關閉上變頻信號開關，斷開射頻信號；

S22，控制電壓DAC模塊的輸出電壓達到功率放大器的柵極所需的最大電壓值；

S23，控制電源模塊的輸出電壓先到達0V；

S24，控制電壓DAC模塊的輸出電壓后到達0V。

9.根據權利要求6至8任一項所述的功率放大管的上電控制方法或功率放大管的下電控制方法，所述最大電壓值為-5V。