[發明專利]OLED顯示器件及其制作方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201410129206.4 | 申請日: | 2014-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN103928497A | 公開(公告)日: | 2014-07-16 |
| 發明(設計)人: | 王輝鋒 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 李迪 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 顯示 器件 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,特別涉及一種OLED顯示器件及其制作方法、顯示裝置。
背景技術
有機電致發光器件(OLED)相對于LCD具有自發光、反應快、視角廣、亮度高、色彩鮮艷及輕薄等優點,被認為是下一代顯示技術。
OLED材料的成膜方式主要包括蒸鍍制程和溶液制程。蒸鍍制程在小尺寸應用較為成熟,目前該技術已經應用于量產中,而溶液制程OLED材料成膜方式主要有噴墨打印、噴嘴涂覆、旋涂及絲網印刷等。其中噴墨打印技術由于其材料利用率較高、可以實現大尺寸化,被認為是大尺寸OLED實現量產的重要方式。
噴墨打印工藝需要預先在基板的電極上制作像素界定層(PDL),以限定有機發光材料的墨滴精確的流入指定的R/G/B亞像素區。
PDL結構截面形狀有正梯形(圖1所示)和倒梯形(圖2所示)兩種:
圖1中的正梯形結構應用較為廣泛,平坦層110上為第一電極120的陣列,第一電極120之間為PDL130。由于有機發光材料140墨滴與正梯形的PDL130接觸處由于兩者間表面能差異,以及有機發光材料140自身干燥行為,干燥后容易形成邊緣高,中間薄的不均勻薄膜,如圖1在虛線框所示,也即咖啡環效應。若要避免咖啡環效應,不僅需要性能優良的PDL材料以及精細調節墨水的溶劑組成,而且需要精確控制墨滴干燥的溫度、壓強、氛圍等成膜條件,這增加了顯示器件的成本,也加大了研發的難度。
為了解決咖啡環問題,圖2示出了另一種結構,平坦層210上為第一電極220的陣列,第一電極220之間為PDL230。其中,PDL230為倒梯形結構,由于該倒梯形的PDL230其與電極間夾角小于90°,存在毛細結構,有機發光材料240墨滴在邊緣毛細結構的作用力下,鋪展較為均勻,這大大降低了成膜工藝開發的難度。但是另一方面,在沉積陰極250的時候,倒梯形PDL230結構容易導致陰極的斷層,從而導致陰極像素斷路缺陷,特別是當陰極250的厚度不足以鋪平PDL230之間的凹坑時。為了防止陰極斷層的發生,往往需要蒸鍍數十倍厚度的陰極250以鋪平凹坑,這顯著增加了器件制作的時間和成本并使得器件透過率降低。
發明內容
(一)要解決的技術問題
本發明要解決的技術問題是:如何制作工藝簡單、成本相對較低,且成膜平整的OLED顯示器件。
(二)技術方案
為解決上述技術問題,本發明提供了一種OLED顯示器件制作方法,包括:
在襯底基板上形成包括第一電極的陣列,所述第一電極對應的區域為顯示區域;
在所述第一電極之間形成像素界定層,且使所述像素界定層截面的寬度呈中部寬,上下部的寬度依次減小的趨勢;
在所述像素界定層之間的第一電極之上形成有機發光層;
至少在所述有機發光層上形成第二電極。
其中,在所述第一電極之間形成像素界定層,且使所述像素界定層截面的寬度呈中部寬,上下部的寬度依次減小的趨勢具體包括:
在形成所述第一電極的襯底基板上形成光刻膠;
使光線通過掩膜板與所述襯底基板呈預定的第一入射角照射所述光刻膠,對所述光刻膠進行第一次曝光;
使光線通過掩膜板與所述襯底基板呈預定的第二入射角照射所述光刻膠,對所述光刻膠進行第二次曝光,并顯影去除所述顯示區域對應的光刻膠,進而暴露出所述第一電極,且第一次曝光光線的入射方向所在的直線與第二次曝光光線的入射方向所在的直線分別位于通過暴露出的第一電極中心的法線相對的兩側,從而使形成的所述像素界定層截面的寬度呈中部寬,上下部的寬度依次減小的趨勢,所述第一入射角和第二入射角均大于0°且小于90°。
其中,所述第一次曝光光線的入射方向所在的直線與第二次曝光光線的入射方向所在的直線沿通過暴露出的第一電極中心的法線對稱。
其中,在所述第一電極之間形成像素界定層,且使所述像素界定層截面的寬度呈中部寬,上下部的寬度依次減小的趨勢具體包括:
在形成所述第一電極的襯底基板上形成光刻膠;
使光線通過掩膜板的通光孔后發生衍射,衍射的光線照射所述顯示區域對應的光刻膠,對所述光刻膠進行第一次曝光,使未曝光的光刻膠的截面呈倒梯形;
照射所述截面呈倒梯形的光刻膠上底兩底角的區域,對所述光刻膠進行第二次曝光,從而使顯影后形成的所述像素界定層截面的寬度呈中部寬,上下部的寬度依次減小的趨勢。
其中,形成所述有機發光層的厚度不低于所述像素界定層中部最寬處的高度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





