[發明專利]影像傳感器封裝結構及其封裝方法有效
| 申請號: | 201410129135.8 | 申請日: | 2014-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN103904094B | 公開(公告)日: | 2017-06-20 |
| 發明(設計)人: | 王之奇;喻瓊;楊瑩;王蔚 | 申請(專利權)人: | 蘇州晶方半導體科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司11227 | 代理人: | 駱蘇華,應戰 |
| 地址: | 215021 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 影像 傳感器 封裝 結構 及其 方法 | ||
1.一種影像傳感器的封裝方法,其特征在于,包括:
提供第一基板,所述第一基板的上表面形成有若干影像感應區和環繞所述影像感應區的第一焊盤;
提供第二基板,所述第二基板中形成有若干空腔;
在第二基板的上表面形成膠帶膜,膠帶膜封閉空腔的開口;
將第二基板的下表面與第一基板的上表面壓合,使影像感應區位于空腔內;
切割去除相鄰空腔之間的膠帶膜和部分厚度的第二基板,形成環繞所述影像感應區的空腔壁、以及位于空腔壁頂部表面封閉空腔的膠帶層;
去除第一焊盤上剩余的第二基板材料,暴露出第一焊盤的表面;
在所述第一焊盤的表面上形成金屬凸點;
在形成金屬凸點后,將第一基板進行分割,形成單個的影像傳感器芯片;
在進行分割后,去除所述空腔壁頂部的膠帶層;
提供PCB基板,所述PCB基板中具有貫穿PCB基板的第一開口,所述第一開口的周圍具有第二焊盤,所述PCB基板的遠離第二焊盤的表面上具有鏡頭模組;
將PCB基板置于單個影像傳感器芯片上方,將PCB基板上的第二焊盤與單個的影像傳感器芯片上的第一焊盤通過金屬凸點鍵合,且進行鍵合時,所述空腔壁深入第一開口內或者所述空腔壁與PCB基板的形成有第二焊盤的表面接觸。
2.如權利要求1所述的影像傳感器的封裝方法,其特征在于,所述鏡頭模組包括透鏡和透鏡支架。
3.如權利要求2所述的影像傳感器的封裝方法,其特征在于,所述透鏡的位置對應于PCB基板的第一開口的位置。
4.如權利要求1所述的影像傳感器的封裝方法,其特征在于,所述第一開口的尺寸大于空腔壁的尺寸,所述空腔壁的高度大于所述金屬凸點的高度。
5.如權利要求4所述的影像傳感器的封裝方法,其特征在于,所述空腔壁高于金屬凸點頂部的高度為10~50微米。
6.如權利要求1所述的影像傳感器的封裝方法,其特征在于,所述第一開口的尺寸小于空腔壁的尺寸。
7.如權利要求6所述的影像傳感器的封裝方法,其特征在于,所述空腔壁的高度小于所述金屬凸點的高度,將PCB基板上的第二焊盤與單個的影像傳感器芯片上的第一焊盤通過金屬凸點鍵合時,所述空腔壁與PCB板的表面接觸。
8.如權利要求6所述的影像傳感器的封裝方法,其特征在于,所述空腔壁的高度大于所述金屬凸點的高度,第二焊盤和第一開口之間的PCB板內形成有凹槽,凹槽的位置與空腔壁的位置對應,所述金屬凸點的高度與凹槽的深度之和大于空腔壁的高度,將PCB基板上的第二焊盤與單個影像傳感器芯片上的第一焊盤通過金屬凸點鍵合時,所述空腔壁的頂部位于凹槽內。
9.如權利要求6所述的影像傳感器的封裝方法,其特征在于,所述第一開口兩側的PCB基板上形成有凸塊,空腔壁與凸塊的總高度小于所述金屬凸點的高度,將PCB基板上的第二焊盤與單個的影像傳感器芯片上的第一焊盤通過金屬凸點鍵合時,所述空腔壁的頂部與凸塊相接觸。
10.如權利要求1所述的影像傳感器的封裝方法,其特征在于,所述金屬凸點的形成工藝為植球工藝或印刷和回流工藝。
11.如權利要求1或10所述的影像傳感器的封裝方法,其特征在于,所述金屬凸點的材料為錫、金或者錫合金。
12.如權利要求1所述的影像傳感器的封裝方法,其特征在于,采用刀片切割去除相鄰空腔之間的膠帶膜和部分厚度的第二基板。
13.如權利要求1所述的影像傳感器的封裝方法,其特征在于,所述第二基板的材料為樹脂。
14.如權利要求1所述的影像傳感器的封裝方法,其特征在于,所述第二基板的材料為玻璃、硅或陶瓷。
15.如權利要求14所述的影像傳感器的封裝方法,其特征在于,所述第二基板下表面上形成有粘合層,第二基板下表面和第一基板的上表面通過粘合層壓合。
16.如權利要求15所述的影像傳感器的封裝方法,其特征在于,形成空腔壁的過程為:切割去除相鄰空腔之間的膠帶膜、第二基板和部分厚度的粘合層,形成環繞所述影像感應區的空腔壁、以及位于空腔壁頂部表面封閉空腔的膠帶層;去除第一焊盤上剩余的粘合層,暴露出第一焊盤的表面。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





