[發明專利]一種SiC晶體單色器

在審

• 申請號: 201410128679.2
• 申請日: 2014-04-01
• 公開（公告）號: CN103940837A
• 公開（公告）日: 2014-07-23
• 發明（設計）人: 孫偉;陳小龍;甘弟;宋有庭;王文軍
• 申請（專利權）人: 中國科學院物理研究所
• 主分類號: G01N23/20
• 分類號: G01N23/20
• 代理公司: 北京和信華成知識產權代理事務所(普通合伙) 11390
• 代理人: 胡劍輝

1.一種高分辨X射線衍射儀晶體單色器，所述晶體單色器包含兩個6H-SiC或者4H-SiC晶片，兩個晶片呈平行排列構成一個二晶單色器；或者所述晶體單色器包含一個U形結構的6H-SiC或者4H-SiC晶片，所述U形結構的側壁作為兩個反射面，構成一個二晶單色器。

2.一種高分辨X射線衍射儀晶體單色器，所述晶體單色器包含四個6H-SiC或者4H-SiC晶片，所述四個晶片兩兩平行排列，組成兩個二晶單色器，所述兩個二晶單色器呈鏡像對稱排列，構成一個四晶單色器；或者所述晶體單色器包含兩塊U形結構的6H-SiC或者4H-SiC晶體，所述兩塊U形結構的6H-SiC或者4H-SiC晶體呈鏡像排列，構成一個四晶單色器。

3.根據權利要求1或2所述的單色器，其特征在于：首選6H-SiC單晶的(0006)面或者4H-SiC單晶的(0004)面作為衍射面。

4.根據權利要求3所述的單色器，其特征在于：作為衍射面的所述6H-SiC單晶的(0006)面或者所述4H-SiC單晶的(0004)面可以是C面，也可以是Si面。

5.根據權利要求3所述的單色器，其特征在于：所述6H-SiC晶體表面與(0006)衍射面平行，所述4H-SiC晶體表面與(0004)衍射面平行。

6.根據權利要求1或2所述的單色器，其特征在于：在高分辨X射線衍射儀上，通過旋轉晶片或者晶柱確定最大反射率的方向作為通光方向。

7.根據權利要求1或2所述的單色器，其特征在于：首選在一塊完整6H-SiC或者4H-SiC晶體上加工成槽型結構，所述槽的側壁為相互平行的兩個(0006)晶面或者(0004)晶面，作為反射面構成一個雙晶單色器；兩個所述雙晶單色器以鏡像對稱排列，即構成一個四晶單色器。

8.根據權利要求1或2所述的單色器，其特征在于：將一塊完整6H-SiC晶體和一塊完整4H-SiC晶體分別加工成槽型結構，槽的側壁為相互平行的兩個(0006)晶面和兩個(0004)晶面，作為衍射面構成兩個雙晶單色器；兩個所述雙晶單色器以鏡像對稱排列，構成一個四晶單色器。

9.根據權利要求1或2所述的單色器，其特征在于：構成雙晶或者四晶單色器的兩個或者四個SiC晶片包含4H-SiC和6H-SiC，衍射面可以是Si面也可以是C面。