[發明專利]一種太陽能電池片及其制備方法、含有該電池片的太陽能電池組件

在審

• 申請號: 201410127685.6
• 申請日: 2014-03-31
• 公開（公告）號: CN104952950A
• 公開（公告）日: 2015-09-30
• 發明（設計）人: 譚偉華;左靜;姜占鋒
• 申請（專利權）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號: H01L31/042
• 分類號: H01L31/042;H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種太陽能電池片，其特征在于，所述太陽能電池片包括硅基體片、硅基體片向光面的向光面電極、硅基體片背光面的背電場及與背電場導通的背電極；所述硅基體片向光面含有減反射膜區及無減反射膜區，所述向光面電極包括位于無減反射膜區表面的電極阻擋層及位于電極阻擋層上的電極主體層；所述電極阻擋層為錫層、鉛層、鉍層和銻層中的至少一種。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池片，其特征在于，所述電極阻擋層為錫層、鉛層、鉍層和銻層中一種。

3.根據權利要求1所述的太陽能電池片，其特征在于，所述電極阻擋層為錫層。

4.根據權利要求1-3任意一項所述的太陽能電池片，其特征在于，所述電極阻擋層的高度為5.0~200nm。

5.根據權利要求4所述的太陽能電池片，其特征在于，所述電極主體層的高度為10~20mm。

6.根據權利要求5所述的太陽能電池片，其特征在于，所述向光面電極包括主柵線和將太陽能電池向光面電流匯集到主柵線而與主柵線相連的副柵線，所述副柵線的寬度為20~50mm，高度為10~20mm。

7.根據權利要求6所述的太陽能電池片，其特征在于，所述電極主體層為銅層或銅銀合金層。

8.根據權利要求7所述的太陽能電池片，其特征在于，所述電極主體層為銅銀合金層，所述銅銀合金層中銀的質量含量為0.1~5.0wt%。

9.根據權利要求1所述的太陽能電池片，其特征在于，所述無減反射膜區通過去除硅基體片表面的減反射膜形成。

10.一種權利要求1-9任意一項所述的太陽能電池片的制備方法，其特征在于，該方法包括在硅基體片向光面制備向光面電極、硅基體片背光面制備背電場及與背電場導通的背電極；所述向光面電極的制備方法包括在硅基體片向光面制備有減反射膜區及無減反射膜區，然后在無減反射膜區的表面制備電極阻擋層，再在電極阻擋層上制備電極主體層。

11.根據權利要求10所述的制備方法，其特征在于，所述在硅基體片向光面制備無減反射膜區的方法包括通過掩膜覆蓋與激光燒蝕掩膜鏤空區的方法去除硅基體片向光面的減反射膜。

12.根據權利要求10所述的制備方法，其特征在于，在無減反射膜區的表面制備電極阻擋層的方法為蒸鍍金屬。

13.根據權利要求12所述的制備方法，其特征在于，所述蒸鍍金屬的方法為真空蒸鍍，所述真空蒸鍍的條件為：蒸鍍腔的本底真空度為0.1~1.0′10^-3Pa，蒸鍍時的氣壓為5.0~20Pa，蒸發功率為100~1000W，蒸發溫度為300~800℃，蒸鍍時間為1.0~60min。

14.根據權利要求10所述的制備方法，其特征在于，所述電極主體層為銅銀合金層，在電極阻擋層上制備電極主體層的方法為磁控濺射。

15.根據權利要求14所述的制備方法，其特征在于，所述的磁控濺射的條件是：濺射腔的本底真空度<5.0×10^-3Pa，高純氬氣為工作氣體，濺射氣壓為0.1~1.0Pa，濺射功率為500~5000W，濺射靶與硅基體片的距離為20~200mm，濺射方式為直流，濺射時間0.5~2.0h。

16.根據權利要求10所述的制備方法，其特征在于，所述電極主體層為金屬銅層，在電極阻擋層上制備電極主體層的方法為真空蒸鍍。

17.根據權利要求16所述的制備方法，其特征在于，所述真空蒸鍍的條件為：蒸鍍腔的本底真空度為0.1~1.0′10^-3?Pa，蒸鍍時的氣壓為5.0~20Pa，蒸發功率為100~1000W，蒸發溫度為1100~1600℃，蒸鍍時間為0.5~2.0h。

18.根據權利要求10所述的制備方法，其特征在于，在制備所述無減反射膜區之前，在無減反射膜區以外的區域覆蓋保護掩膜。

19.根據權利要求18所述的制備方法，其特征在于，所述保護掩膜的厚度為10-20mm。

20.一種太陽能電池組件，其特征在于，所述太陽能電池組件包括依次層疊的背板、密封膠層、電池片、密封膠層和透光層；所述電池片為權利要求1-9任意一項所述的太陽能電池片。