[發(fā)明專利]掩膜的沉積方法、掩膜及半導體器件的刻蝕方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410127676.7
• 申請日: 2014-03-31
• 公開（公告）號: CN104947085B
• 公開（公告）日: 2017-12-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周鳴
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: C23C16/513
• 分類號: C23C16/513;C23C16/04;H01L21/311
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司11240
• 代理人: 吳貴明,張永明

1.一種掩膜的沉積方法，其特征在于，包括以下步驟：

沉積步驟：向反應室通入待反應氣體，并打開等離子發(fā)生器，以在半導體基材上沉積所述掩膜；以及

等離子處理步驟：停止通入所述待反應氣體，在所述等離子發(fā)生器保持打開狀態(tài)下，抽空所述反應室，通入非反應氣體以對所述掩膜進行等離子處理；

重復進行所述沉積步驟和等離子處理步驟多次以形成所需掩膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積方法，其特征在于，重復所述沉積步驟和等離子處理步驟4次以形成所述所需掩膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積方法，其特征在于，所述等離子處理步驟中反應室內(nèi)壓力低于所述沉積步驟中反應室內(nèi)壓力。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的沉積方法，其特征在于，所述沉積步驟中反應室內(nèi)壓力為1～15torr，所述等離子處理步驟中反應室內(nèi)壓力為1～3torr。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積方法，其特征在于，所述等離子處理步驟中處理時間不少于1秒。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積方法，其特征在于，所述等離子處理步驟中處理時間為1～15秒。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的沉積方法，其特征在于，所述沉積步驟中沉積掩膜的時間為1～10秒。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的沉積方法，其特征在于，所述沉積步驟中沉積掩膜的時間為1～3秒。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積方法，其特征在于，所述掩膜為含硅薄膜。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的沉積方法，其特征在于，

所述含硅薄膜為SiO₂，所述待反應氣體包括硅前驅(qū)體和氧氣；

所述含硅薄膜為SiN，所述待反應氣體包括硅前驅(qū)體和氨氣；

所述含硅薄膜為SiON，所述待反應氣體包括硅前驅(qū)體、氨氣和氧氣。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的沉積方法，其特征在于，所述硅前驅(qū)體選自硅烷、三甲基硅烷或四甲基硅烷。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積方法，其特征在于，所述非反應氣體選自He、N₂和N₂O中的一種或多種。

13.一種掩膜，其特征在于，所述掩膜由權(quán)利要求1至12中任一項所述的掩膜的沉積方法制作而成。

14.一種半導體器件的刻蝕方法，包括在待刻蝕器件上形成圖形化掩膜，以及依照所述掩膜中圖形刻蝕待刻蝕器件的步驟，其特征在于，形成所述圖形化掩膜的步驟包括采用權(quán)利要求1至12中任一項所述的掩膜的沉積方法制作掩膜的步驟。