[發(fā)明專利]TiN復(fù)合硬掩膜、用于形成互連層結(jié)構(gòu)的硬掩及互連層的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410127662.5
• 申請日: 2014-03-31
• 公開（公告）號: CN104952707B
• 公開（公告）日: 2018-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周鳴
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033;H01L21/768
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;張永明

1.一種互連層的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步驟：

在Si襯底上依次形成SiO₂介質(zhì)層、SiOC掩膜層以及由4組SiCN/TiN組成的TiN復(fù)合硬掩膜，其中，各組SiCN/TiN中，所述SiCN的高度所述TiN的高度形成所述TiN的反應(yīng)條件為：以TiCl₄和NH₃為反應(yīng)氣體，TiCl₄的流量為400sccm，NH₃的流量為300sccm，反應(yīng)室內(nèi)的壓強為5torr，沉積溫度為500℃，沉積時間為15秒；

刻蝕所述TiN復(fù)合硬掩膜、所述SiOC掩膜層和所述SiO₂介質(zhì)層形成通孔，通過電鍍工藝在通孔中形成Cu預(yù)備層，以及采用化學(xué)機械拋光去除SiO₂介質(zhì)層上的所述TiN復(fù)合硬掩膜、所述SiOC掩膜層和所述Cu預(yù)備層的步驟；化學(xué)機械拋光的工藝條件為：研磨頭上施加的壓力為220g/cm²，研磨頭的轉(zhuǎn)速為85r/min，拋光液的流速260mL/min，拋光溫度為35℃，拋光時間為35秒。