[發(fā)明專利]一種并聯(lián)接觸式RF MEMS開(kāi)關(guān)無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410127355.7 | 申請(qǐng)日： | 2014-04-01 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN103972612A | 公開(kāi)（公告）日： | 2014-08-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 楊俊民 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 蘇州錕恩電子科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01P1/10 | 分類號(hào)： | H01P1/10;H01H59/00 |
| 代理公司： | 南京縱橫知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215153 江蘇省蘇*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 并聯(lián) 接觸 rf mems 開(kāi)關(guān) | ||
【權(quán)利要求書(shū)】：
1.一種并聯(lián)接觸式RF MEMS開(kāi)關(guān)，其特征在于：包括包括襯底，設(shè)于襯底上的CPW地線，與CPW地線連接的金屬橋膜，在金屬橋膜的下方設(shè)有下拉電極與CPW信號(hào)線，在CPW信號(hào)線上設(shè)有接觸點(diǎn)。
2.如權(quán)利要求1所述的一種并聯(lián)接觸式RF MEMS開(kāi)關(guān)，其特征在于：在CPW信號(hào)線的兩側(cè)，設(shè)有兩個(gè)下拉電極。
3.如權(quán)利要求1所述的一種并聯(lián)接觸式RF MEMS開(kāi)關(guān)，其特征在于：所述金屬橋膜與接觸點(diǎn)的材料為Au。
4.如權(quán)利要求1所述的一種并聯(lián)接觸式RF MEMS開(kāi)關(guān)，其特征在于：所述襯底的材料BorofloatTM 玻璃。
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