[發明專利]一種集成電路用RC觸發式ESD保護電路

有效

• 申請號: 201410127350.4
• 申請日: 2014-03-31
• 公開（公告）號: CN103915436A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發明（設計）人: 喬明;馬金榮;齊釗;石先龍;曲黎明;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L23/60
• 代理公司: 成都宏順專利代理事務所(普通合伙) 51227
• 代理人: 李順德;王睿

1.一種集成電路用RC觸發式ESD保護電路，包括：RC觸發電路（103）和襯底觸發的SCR器件（104）；觸發電路（103）包括一個電阻（305）、一個電容（302）、兩個PMOS管（301和303）、一個NMOS管（304）；第一PMOS管（301）的源極接VDD電源線（101），其漏極通過電容（302）接VSS電源線（102），其柵極接第二PMOS管（303）的漏極和NMOS管（304）的柵極；第一PMOS管（301）的漏極和電容（302）的連接點（306）接第二PMOS管（303）的柵極和NMOS管（304）的漏極；第二PMOS管（303）的源極接VDD電源線（101），NMOS管（304）的源極接VSS電源線（102）；第二PMOS管（303）的漏極通過電阻（305）接VSS電源線（102），第二PMOS管（303）的漏極和電阻（305）的連接點（307）接襯底觸發的SCR器件（104）的P+觸發區；襯底觸發的SCR器件（104）的高電位P+區接VDD電源線（101），襯底觸發的SCR器件（104）的低電位N+區接VSS電源線（102）。

2.根據權利要求1所述的集成電路用RC觸發式ESD保護電路，其特征在于，所述RC觸發電路（103）還具有第三PMOS管（308），其中第一PMOS管（301）的漏極不直接連接電容（302），第一PMOS管（301）的漏極接第三PMOS管（308）的源極，第三PMOS管（308）的漏極通過電容（302）接VSS電源線（102），第一PMOS管（301）和第三PMOS管（308）的柵極互連并接第二PMOS管（303）的漏極和NMOS管（304）的柵極。

3.根據權利要求1或2所述的集成電路用RC觸發式ESD保護電路，其特征在于，所述電阻（305）采用兩個或多個串聯的電阻（305）代替。

4.根據權利要求1或2所述的集成電路用RC觸發式ESD保護電路，其特征在于，所述RC觸發電路（103）還具有由第四PMOS管（504）和第二NMOS管（508）構成的反相器，但所述襯底觸發的SCR器件（104）應采用N+觸發的襯底觸發SCR器件；此時，第二PMOS管（303）的漏極和電阻（305）的連接點（307）不直接連接N+觸發的襯底觸發SCR器件的N+觸發區，而是連接第四PMOS管（504）和第二NMOS管（508）的柵極，第四PMOS管（504）的源極接VDD電源線（101），第二NMOS管（508）的源極接VSS電源線（102），第四PMOS管（504）和第二NMOS管（508）的漏極的互連點（511）接N+觸發的襯底觸發SCR器件的N+觸發區。