[發(fā)明專(zhuān)利]用于生產(chǎn)藍(lán)寶石圖形襯底的分選方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410126845.5 | 申請(qǐng)日: | 2014-04-01 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103871939B | 公開(kāi)(公告)日: | 2017-07-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳起偉;魏臻;孫智江;施榮華 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 海迪科(蘇州)光電科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/67 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 215131 江蘇省蘇州*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 生產(chǎn) 藍(lán)寶石 圖形 襯底 分選 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體光電芯片制造領(lǐng)域。
背景技術(shù)
在藍(lán)寶石圖形化襯底領(lǐng)域,生產(chǎn)廠(chǎng)家通常會(huì)通過(guò)3D顯微鏡或者人工目檢的方式來(lái)對(duì)生產(chǎn)出的藍(lán)寶石襯底進(jìn)行尺寸方面的分選。但是,3D顯微鏡的單片掃描時(shí)間過(guò)長(zhǎng),不能滿(mǎn)足大批量的連續(xù)生產(chǎn);而人工目檢又容易因?yàn)槿说膫€(gè)體差異而引起分選標(biāo)準(zhǔn)不一的情況。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在提供一種方法來(lái)解決大批量藍(lán)寶石圖形化襯底生產(chǎn)中存在的尺寸分選問(wèn)題。
為了達(dá)到上述目的,本發(fā)明提供的一種用于生產(chǎn)藍(lán)寶石圖形襯底的分選方法,包括如下步驟:
S1:調(diào)整光致發(fā)光設(shè)備的參數(shù),對(duì)藍(lán)寶石圖形襯底外延層進(jìn)行光激勵(lì)測(cè)試,由外延層圖形化表面的微觀(guān)結(jié)構(gòu)所反射回的光進(jìn)行反射率測(cè)算;
S2:對(duì)所述的微觀(guān)結(jié)構(gòu)的尺寸測(cè)量得到尺寸值;
S3:建立反射率與尺寸值間的對(duì)應(yīng)關(guān)系;
S4:將待分選晶圓整批導(dǎo)入到光致發(fā)光設(shè)備中令設(shè)備自動(dòng)運(yùn)行;
S5:將微觀(guān)結(jié)構(gòu)的反射率實(shí)時(shí)通過(guò)對(duì)應(yīng)關(guān)系輸出為尺寸值,并依據(jù)結(jié)果進(jìn)行晶圓分選。
本發(fā)明通過(guò)使用光致發(fā)光設(shè)備(PL)來(lái)進(jìn)行批量化藍(lán)寶石圖形化襯底生產(chǎn)的分選工作。光致發(fā)光設(shè)備目前主要用于外延生產(chǎn)廠(chǎng)家,主要目的是,通過(guò)對(duì)外延層進(jìn)行光激勵(lì)來(lái)識(shí)別判斷外延生長(zhǎng)質(zhì)量是否符合設(shè)計(jì)目標(biāo)。但該設(shè)備中還有一項(xiàng)功能,即反射率的測(cè)試。藍(lán)寶石圖形化表面的微觀(guān)結(jié)構(gòu)的尺寸差異會(huì)相應(yīng)得體現(xiàn)在反射率的數(shù)據(jù)上。因此,不同微觀(guān)尺寸的襯底可以通過(guò)反射率數(shù)據(jù)來(lái)進(jìn)行區(qū)分。并且,由于很多PL設(shè)備屬于自動(dòng)機(jī)臺(tái),所以,適用于大規(guī)模批量生產(chǎn)。
作為進(jìn)一步的改進(jìn),所述的步驟S1、S2中隨機(jī)選取多個(gè)位置進(jìn)行反射率與尺寸值的測(cè)量。
作為進(jìn)一步的改進(jìn),所述的步驟S1、S2中針對(duì)同一位置多次測(cè)量后取平均值。
作為進(jìn)一步的改進(jìn),所述的步驟S1中根據(jù)外延層圖形化表面的微觀(guān)結(jié)構(gòu)的尺寸與類(lèi)型調(diào)整光致發(fā)光設(shè)備的光激勵(lì)強(qiáng)度與時(shí)間。
作為進(jìn)一步的改進(jìn),所述的步驟S2中,通過(guò)3D光學(xué)顯微鏡或SEM設(shè)備對(duì)微觀(guān)結(jié)構(gòu)的尺寸測(cè)量。
作為進(jìn)一步的改進(jìn),所述的步驟S5包括設(shè)定尺寸值的閾值的步驟,當(dāng)檢測(cè)到超出閾值范圍的尺寸值時(shí),輸出提示信號(hào)并記錄位置信息。
由于采用了以上技術(shù)方案,使得在藍(lán)寶石圖形化襯底領(lǐng)域可以將圖形化結(jié)構(gòu)的檢測(cè)步驟得以簡(jiǎn)化,提高了生產(chǎn)效率,降低了生產(chǎn)成本,易于實(shí)現(xiàn)大規(guī)模批量生產(chǎn)。
附圖說(shuō)明
圖1為根據(jù)本發(fā)明的用于生產(chǎn)藍(lán)寶石圖形襯底的分選方法的流程圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)闡述,以使本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解,從而對(duì)本發(fā)明的保護(hù)范圍做出更為清楚明確的界定。
參見(jiàn)附圖1所示,為根據(jù)本發(fā)明的用于生產(chǎn)藍(lán)寶石圖形襯底的分選方法的流程圖。該方法包括如下步驟:
S1:調(diào)整光致發(fā)光設(shè)備的參數(shù),對(duì)藍(lán)寶石圖形襯底外延層進(jìn)行光激勵(lì)測(cè)試,由外延層圖形化表面的微觀(guān)結(jié)構(gòu)所反射回的光進(jìn)行反射率測(cè)算;
S2:通過(guò)3D光學(xué)顯微鏡或SEM設(shè)備對(duì)微觀(guān)結(jié)構(gòu)的尺寸測(cè)量得到尺寸值;
S3:建立反射率與尺寸值間的對(duì)應(yīng)關(guān)系;
S4:將待分選晶圓整批導(dǎo)入到光致發(fā)光設(shè)備中令設(shè)備自動(dòng)運(yùn)行;
S5:將微觀(guān)結(jié)構(gòu)的反射率實(shí)時(shí)通過(guò)對(duì)應(yīng)關(guān)系輸出為尺寸值,并依據(jù)結(jié)果進(jìn)行晶圓分選。
為了盡可能的減小測(cè)量過(guò)程所帶來(lái)的誤差,步驟S1、S2中隨機(jī)選取多個(gè)位置進(jìn)行反射率與尺寸值的測(cè)量;另外,步驟S1、S2中針對(duì)同一位置多次測(cè)量后取平均值。
需要說(shuō)明的是,步驟S1中根據(jù)外延層圖形化表面的微觀(guān)結(jié)構(gòu)的尺寸與類(lèi)型調(diào)整光致發(fā)光設(shè)備的光激勵(lì)強(qiáng)度與時(shí)間。本發(fā)明通過(guò)使用光致發(fā)光設(shè)備(PL)來(lái)進(jìn)行批量化藍(lán)寶石圖形化襯底生產(chǎn)的分選工作。光致發(fā)光設(shè)備目前主要用于外延生產(chǎn)廠(chǎng)家,主要目的是,通過(guò)對(duì)外延層進(jìn)行光激勵(lì)來(lái)識(shí)別判斷外延生長(zhǎng)質(zhì)量是否符合設(shè)計(jì)目標(biāo)。但該設(shè)備中還有一項(xiàng)功能,即反射率的測(cè)試。藍(lán)寶石圖形化表面的微觀(guān)結(jié)構(gòu)的尺寸差異會(huì)相應(yīng)得體現(xiàn)在反射率的數(shù)據(jù)上。因此,不同微觀(guān)尺寸的襯底可以通過(guò)反射率數(shù)據(jù)來(lái)進(jìn)行區(qū)分。并且,由于很多PL設(shè)備屬于自動(dòng)機(jī)臺(tái),所以,適用于大規(guī)模批量生產(chǎn)。
作為進(jìn)一步的改進(jìn),步驟S5包括設(shè)定尺寸值的閾值的步驟,當(dāng)檢測(cè)到超出閾值范圍的尺寸值時(shí),輸出提示信號(hào)并記錄位置信息,使得在藍(lán)寶石圖形化襯底領(lǐng)域可以將圖形化結(jié)構(gòu)的檢測(cè)步驟得以簡(jiǎn)化,提高了生產(chǎn)效率,降低了生產(chǎn)成本,易于實(shí)現(xiàn)大規(guī)模批量生產(chǎn)。
以上實(shí)施方式只為說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn),其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人了解本發(fā)明的內(nèi)容并加以實(shí)施,并不能以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍,凡根據(jù)本發(fā)明精神實(shí)質(zhì)所做的等效變化或修飾,都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于海迪科(蘇州)光電科技有限公司,未經(jīng)海迪科(蘇州)光電科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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