[發明專利]基于BCD工藝的高壓LDMOS器件及制造工藝

有效

• 申請號: 201410126232.1
• 申請日: 2014-03-31
• 公開（公告）號: CN103840008A
• 公開（公告）日: 2014-06-04
• 發明（設計）人: 胡浩;寧小霖
• 申請（專利權）人: 成都立芯微電子科技有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 北京天奇智新知識產權代理有限公司 11340
• 代理人: 郭霞

1.一種基于BCD工藝的高壓LDMOS器件，包括襯底，其特征在于：所述襯底為N型襯底，N型襯底上為P型埋層，P型埋層上為N型薄外延層，N阱位于N型薄外延層的一側，N阱靠近多晶硅的一側為被場氧化層覆蓋的P型輕摻雜頂層，另一側為N型注入層，N型注入層向上延伸至漏極，P阱位于N型薄外延層的另一側，P阱的中上部為p型場區，p型場區上有短接N型注入層和短接P型注入層，短接N型注入層和短接P型注入層的連接處向上延伸至源極，N阱和P阱的連接處有柵極氧化層，柵極氧化層上為多晶硅，多晶硅外接柵極。

2.一種如權利要求1所述的基于BCD工藝的高壓LDMOS器件采用的制造工藝，其特征在于：包括以下步驟：

（1）選擇摻雜為磷的N型襯底，厚度為0～1000um；

（2）進行硼注入以形成P型埋層，能量為0～1000kev，劑量為1e11～1e15/cm²；

（3）在P型埋層上進行外延生長得到N型薄外延層，厚度為0～30um；

（4）分別進行磷注入和硼注入，磷注入能量300kev、劑量4e12/cm²，硼注入能量100kev、劑量1e13/cm²，然后在1100度溫度下進行氮氣退火形成N阱和P阱，阱的深度能夠和埋層穿通；

（5）進行硼注入，能量為100Kev，劑量為1e12/cm²，然后在1000度溫度下進行氮氣退火形成P型輕摻雜頂層；

（6）采用兩步離子注入形成p型場區，第一離子注入能量為1～200kev，劑量為1e11～1e15/cm²，第二步離子注入為硼注入，能量為1～300kev，劑量為1e11～1e15/cm²；

（7）柵極氧化層生長；

（8）多晶硅淀積，采用LPCVD的方式，方塊電阻范圍為1～100ohm/square；

（9）分別進行N型注入和P型注入，以形成源極、漏極的歐姆接觸；

（10）淀積氧化層，作為層間介質；

（11）做源極/漏極的鋁電極；

（12）鈍化層淀積，膜層結構是PETEOS和PESIN。