[發(fā)明專利]碳納米管陣列的轉(zhuǎn)移方法及碳納米管結(jié)構(gòu)的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410125074.8 | 申請(qǐng)日: | 2014-03-31 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104944409B | 公開(公告)日: | 2018-03-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 魏洋;魏浩明;姜開利;范守善 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 清華大學(xué);鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司 |
| 主分類號(hào): | C01B32/164 | 分類號(hào): | C01B32/164;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 100084 北京市海淀區(qū)清*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 納米 陣列 轉(zhuǎn)移 方法 結(jié)構(gòu) 制備 | ||
1.一種碳納米管陣列的轉(zhuǎn)移方法,包括以下步驟:
提供一代替基底及一生長基底,該生長基底表面具有碳納米管陣列,該碳納米管陣列包括多個(gè)通過范德華力相互連接的碳納米管,該碳納米管陣列的形態(tài)能夠使得一碳納米管結(jié)構(gòu)從該碳納米管陣列中連續(xù)地拉出;
將該碳納米管陣列從該生長基底轉(zhuǎn)移至該代替基底,并保持該碳納米管陣列的形態(tài)仍能夠使該碳納米管結(jié)構(gòu)從該碳納米管陣列中連續(xù)地拉出,包括:
將該代替基底的表面接觸該碳納米管陣列遠(yuǎn)離該生長基底的表面;以及
通過移動(dòng)該代替基底與該生長基底中的至少一方,使該代替基底與該生長基底相遠(yuǎn)離,從而使該碳納米管陣列與該生長基底分離,并轉(zhuǎn)移至該代替基底,該代替基底與該碳納米管陣列之間的結(jié)合力小于該碳納米管陣列中碳納米管間的范德華力,該代替基底與該碳納米管陣列之間的結(jié)合力大于該生長基底與該碳納米管陣列之間的結(jié)合力且小于該碳納米管陣列中碳納米管間的范德華力,該碳納米管結(jié)構(gòu)包括多個(gè)首尾相連的碳納米管。
2.如權(quán)利要求1所述的碳納米管陣列的轉(zhuǎn)移方法,其特征在于,該碳納米管結(jié)構(gòu)為碳納米管膜或碳納米管線。
3.如權(quán)利要求1所述的碳納米管陣列的轉(zhuǎn)移方法,其特征在于,該代替基底的表面與該碳納米管陣列僅通過范德華力結(jié)合。
4.如權(quán)利要求1所述的碳納米管陣列的轉(zhuǎn)移方法,其特征在于,在該分離的過程中,該碳納米管陣列中的所有碳納米管為同時(shí)脫離該生長基底。
5.如權(quán)利要求1所述的碳納米管陣列的轉(zhuǎn)移方法,其特征在于,該碳納米管陣列中的碳納米管沿該碳納米管的生長方向脫離該生長基底。
6.如權(quán)利要求1所述的碳納米管陣列的轉(zhuǎn)移方法,其特征在于,該代替基底與該生長基底中的至少一方的移動(dòng)方向?yàn)榇怪庇谠撋L基底的碳納米管生長表面。
7.如權(quán)利要求1所述的碳納米管陣列的轉(zhuǎn)移方法,其特征在于,該代替基底的材料為聚二甲基硅氧烷。
8.如權(quán)利要求1所述的碳納米管陣列的轉(zhuǎn)移方法,其特征在于,進(jìn)一步包括使該代替基底對(duì)該碳納米管陣列施加壓力,該壓力范圍為0<f<2N/cm2。
9.如權(quán)利要求8所述的碳納米管陣列的轉(zhuǎn)移方法,其特征在于,該壓力的方向?yàn)榇怪庇谠撋L基底的碳納米管生長表面。
10.一種碳納米管結(jié)構(gòu)的制備方法,包括以下步驟:
提供一第二基底及一第一基底,該第一基底表面具有碳納米管陣列,該碳納米管陣列包括多個(gè)通過范德華力相互連接的碳納米管,該碳納米管陣列的形態(tài)能夠使得一碳納米管結(jié)構(gòu)可以從該碳納米管陣列中連續(xù)地拉出;
將該第二基底的表面接觸該碳納米管陣列遠(yuǎn)離該第一基底的表面,該第二基底與該碳納米管陣列之間的結(jié)合力小于該碳納米管陣列中碳納米管間的范德華力,該代替基底與該碳納米管陣列之間的結(jié)合力大于該生長基底與該碳納米管陣列之間的結(jié)合力且小于該碳納米管陣列中碳納米管間的范德華力;
通過移動(dòng)該第二基底與該第一基底中的至少一方,使該第二基底與該第一基底相遠(yuǎn)離,從而使該碳納米管陣列與該第一基底分離,并轉(zhuǎn)移至該第二基底,在轉(zhuǎn)移該碳納米管陣列的過程中保持該碳納米管陣列的形態(tài)仍能夠使該碳納米管結(jié)構(gòu)從該碳納米管陣列中連續(xù)地拉出;以及
從該第二基底上的碳納米管陣列拉取該碳納米管結(jié)構(gòu),該碳納米管結(jié)構(gòu)包括多個(gè)首尾相連的碳納米管。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于清華大學(xué);鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司,未經(jīng)清華大學(xué);鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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