[發(fā)明專利]一種防BM偏移液晶顯示器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410124808.0
• 申請日: 2014-03-31
• 公開（公告）號: CN103852931A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王杰;劉文雄
• 申請（專利權(quán)）人: 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1333
• 分類號: G02F1/1333
• 代理公司: 南京天華專利代理有限責(zé)任公司 32218
• 代理人: 夏平;李德濺

技術(shù)領(lǐng)域

?本發(fā)明涉及需接合曝光的大尺寸液晶顯示器，具體的說是一種通過將BM層的邊緣設(shè)置在數(shù)據(jù)線以避免單邊蝕刻量值變異形成的shot?mura并防止BM組立偏移造成的漏光、開口率下降等問題的防BM偏移液晶顯示器。

背景技術(shù)

BM層的功能是遮光，目的是提高對比度、避免色混及防止光線照射TFT器件，減小漏電流，因此BM層的精確對位至關(guān)重要。影響B(tài)M層對位精度的因素主要有制程時(shí)的單邊蝕刻量(CD)。目前面板尺寸越做越大，即使使用光罩尺寸最大的掃描曝光機(jī)，也無法將所有面板圖形一次曝光完成，因此需要多次曝光接合完成。多次接合曝光帶來的問題是每次曝光的CD值會有所差異，造成同一片面板上不同光罩區(qū)域?(shot)?的光透過率不一致，導(dǎo)致面板亮度不一，形成shot?mura。另外，影響B(tài)M層對位精度的主要因素還有對位時(shí)的組立精度。若BM層貼合時(shí)產(chǎn)生偏差，則會漏光，還會降低開口率。

附圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的BM設(shè)計(jì)構(gòu)架。如圖1所示BM層設(shè)計(jì)時(shí)考慮單邊蝕刻量(CD)和組立精度，一般BM層4的寬度比柵極金屬層制成的公共電極線52寬。附圖2為附圖1所示的BM設(shè)計(jì)構(gòu)架中CD值正變異時(shí)的示意圖，此時(shí)BM層4的寬度偏大，遮光區(qū)域增大，光透過率下降；附圖3為附圖1所示的BM設(shè)計(jì)構(gòu)架中CD值負(fù)變異時(shí)的示意圖，此時(shí)BM層4的寬度偏小，但由于柵極金屬層具有遮光作用，可形成內(nèi)置BM層，所以對面板亮度影響不大。若不同shot的CD值變異不同，則會造成時(shí)亮度不均，面板形成shot?mura。圖4-7為附圖1所示的BM設(shè)計(jì)構(gòu)架中組立偏移時(shí)的示意圖，圖4為組立正偏移較小時(shí)的示意圖，圖5為組立負(fù)偏移較小時(shí)的示意圖，圖6為組立正偏移較大時(shí)的示意圖，圖7為組立負(fù)偏移較大時(shí)的示意圖；如圖4-7所示，當(dāng)組立偏移較小時(shí)，正負(fù)偏移造成的結(jié)果一樣，都是遮光區(qū)域增大，光透過率下降，所以面板亮度整體偏暗；當(dāng)組立偏移較大時(shí)，正負(fù)偏移造成的結(jié)果一樣，都是會漏光，造成面板對比度下降。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，提供一種通過將BM層的邊緣設(shè)置在數(shù)據(jù)線以避免單邊蝕刻量值變異形成的shot?mura并防止BM組立偏移造成的漏光、開口率下降等問題的防BM偏移液晶顯示器。

本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案解決的：

一種防BM偏移液晶顯示器，包括陣列基板，其特征在于所述陣列基板中的任一個像素單元中皆設(shè)有兩條數(shù)據(jù)線，縱向設(shè)置的BM層的兩邊緣則分別位于水平方向上兩相鄰像素單元的兩相鄰數(shù)據(jù)線上，此時(shí)陣列基板中的柵極金屬層和/或源漏極金屬層作為遮光金屬。

所述BM層的邊緣位于數(shù)據(jù)線的中心線上，且BM層的邊緣至BM層邊緣外側(cè)的遮光金屬邊緣的距離不小于BM層的單邊蝕刻量值與組立精度之和。

所述的柵極金屬層制作成數(shù)據(jù)線修復(fù)線時(shí)，數(shù)據(jù)線修復(fù)線位于數(shù)據(jù)線的下方作為遮光金屬，BM層的兩邊緣分別位于兩相鄰數(shù)據(jù)線上且BM層的邊緣至其外側(cè)的數(shù)據(jù)線修復(fù)線邊緣的距離不小于BM層的單邊蝕刻量值與組立精度之和。

所述BM層的寬度為兩相鄰數(shù)據(jù)線修復(fù)線之間的間距。

所述的柵極金屬層制作成公共電極線時(shí)，公共電極線位于數(shù)據(jù)線的下方作為遮光金屬，BM層的兩邊緣分別位于兩相鄰數(shù)據(jù)線上且BM層的邊緣至其外側(cè)的公共電極線邊緣的距離不小于BM層的單邊蝕刻量值與組立精度之和。

所述BM層的寬度為兩相鄰公共電極線之間的間距。

所述的源漏極金屬層制作成的數(shù)據(jù)線作為遮光金屬時(shí)，?BM層的兩邊緣分別位于兩相鄰數(shù)據(jù)線上且BM層的邊緣至其外側(cè)的數(shù)據(jù)線邊緣的距離不小于BM層的單邊蝕刻量值與組立精度之和。

所述柵極金屬層和源漏極金屬層制作成的數(shù)據(jù)線作為遮光金屬時(shí)，柵極金屬層制作成的數(shù)據(jù)線位于漏極金屬層制作成的數(shù)據(jù)線的下方，BM層的兩邊緣分別位于漏極金屬層制作成的數(shù)據(jù)線的兩相鄰數(shù)據(jù)線上且BM層的邊緣至其外側(cè)的柵極金屬層制作成的數(shù)據(jù)線邊緣的距離不小于BM層的單邊蝕刻量值與組立精度之和。

所述BM層的寬度為柵極金屬層制作成的兩相鄰數(shù)據(jù)線之間的間距。

本發(fā)明相比現(xiàn)有技術(shù)有如下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明通過將BM層的邊緣設(shè)置在數(shù)據(jù)線上，以避免單邊蝕刻量值變異形成的shot?mura，進(jìn)一步將BM層的邊緣設(shè)置在數(shù)據(jù)線的中心線上并使得BM層的邊緣與遮光金屬的邊緣之間的距離不小于BM層的單邊蝕刻量值與組立精度之和，即可避免單邊蝕刻量值變異形成的shot?mura，也可以防止BM層組立偏移造成的漏光、開口率下降等問題。

附圖說明

附圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的BM設(shè)計(jì)構(gòu)架示意圖；