[發(fā)明專利]碳納米管結(jié)構的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410124617.4
• 申請日: 2014-03-31
• 公開（公告）號: CN104944406B
• 公開（公告）日: 2018-02-27
• 發(fā)明（設計）人: 魏洋;魏浩明;姜開利;范守善
• 申請（專利權）人: 清華大學;鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司
• 主分類號: C01B32/16
• 分類號: C01B32/16;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種碳納米管結(jié)構的制備方法，包括以下步驟：

提供一代替基底及一生長基底，該生長基底表面具有碳納米管陣列，該碳納米管陣列包括多個通過范德華力相互連接的碳納米管，該碳納米管陣列的形態(tài)能夠使得一碳納米管結(jié)構從該碳納米管陣列中連續(xù)地拉出；

將該碳納米管陣列從該生長基底轉(zhuǎn)移至該代替基底，該代替基底與該碳納米管陣列之間的結(jié)合力小于該碳納米管陣列中碳納米管間的范德華力，該代替基底與該碳納米管陣列之間的結(jié)合力大于該生長基底與該碳納米管陣列之間的結(jié)合力且小于該碳納米管陣列中碳納米管間的范德華力，并保持該碳納米管陣列的形態(tài)仍能夠使該碳納米管結(jié)構從該碳納米管陣列中連續(xù)地拉出；其中，將該碳納米管陣列從該生長基底轉(zhuǎn)移至該代替基底的步驟包括：

將該代替基底的表面接觸該碳納米管陣列遠離該生長基底的表面；

通過移動該代替基底與該生長基底中的至少一方，使該代替基底與該生長基底相遠離，從而使該碳納米管陣列與該生長基底分離；以及從該代替基底上的碳納米管陣列拉取該碳納米管結(jié)構，該碳納米管結(jié)構包括多個首尾相連的碳納米管。

2.如權利要求1所述的碳納米管結(jié)構的制備方法，其特征在于，該碳納米管結(jié)構為碳納米管膜或碳納米管線。

3.如權利要求1所述的碳納米管結(jié)構的制備方法，其特征在于，該代替基底的表面與該碳納米管陣列僅通過范德華力結(jié)合。

4.如權利要求1所述的碳納米管結(jié)構的制備方法，其特征在于，在該分離的過程中，該碳納米管陣列中的所有碳納米管為同時脫離該生長基底。

5.如權利要求1所述的碳納米管結(jié)構的制備方法，其特征在于，該碳納米管陣列中的碳納米管沿該碳納米管的生長方向脫離該生長基底。

6.如權利要求1所述的碳納米管結(jié)構的制備方法，其特征在于，該代替基底與該生長基底中的至少一方的移動方向為垂直于該生長基底的碳納米管生長表面。

7.如權利要求1所述的碳納米管結(jié)構的制備方法，其特征在于，該代替基底的材料為聚二甲基硅氧烷。

8.一種碳納米管結(jié)構的制備方法，包括以下步驟：

提供一第一基底及一第二基底，該第一基底表面具有碳納米管陣列，該碳納米管陣列包括多個通過范德華力相互連接的碳納米管，該碳納米管陣列的形態(tài)能夠使得一碳納米管結(jié)構從該碳納米管陣列中連續(xù)地拉出，該碳納米管結(jié)構包括多個首尾相連的碳納米管；

將該碳納米管陣列從該第一基底轉(zhuǎn)移至該第二基底，該第二基底與該碳納米管陣列之間的結(jié)合力小于該碳納米管陣列中碳納米管間的范德華力，該代替基底與該碳納米管陣列之間的結(jié)合力大于該生長基底與該碳納米管陣列之間的結(jié)合力且小于該碳納米管陣列中碳納米管間的范德華力，并保持該碳納米管陣列的形態(tài)仍能夠使該碳納米管結(jié)構從該碳納米管陣列中連續(xù)地拉出；其中，將該碳納米管陣列從該生長基底轉(zhuǎn)移至該代替基底的步驟包括：

將該代替基底的表面接觸該碳納米管陣列遠離該生長基底的表面；

通過移動該代替基底與該生長基底中的至少一方，使該代替基底與該生長基底相遠離，從而使該碳納米管陣列與該生長基底分離；以及

從該第二基底上的碳納米管陣列拉取該碳納米管結(jié)構，該碳納米管結(jié)構包括多個首尾相連的碳納米管。