[發(fā)明專利]改變半導(dǎo)體激光器件芯片慢軸方向光場分布的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410124234.7
• 申請日: 2014-03-28
• 公開（公告）號: CN103872579A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 堯舜;高祥宇;王智勇;潘飛;賈冠男;李峙
• 申請（專利權(quán)）人: 北京工業(yè)大學(xué)
• 主分類號: H01S5/06
• 分類號: H01S5/06
• 代理公司: 北京匯信合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11335
• 代理人: 昝美琪

1.改變半導(dǎo)體激光器件芯片慢軸方向光場分布的方法，該方法適用于單元器件芯片，主要步驟包括：

選取發(fā)光單元具有精細(xì)結(jié)構(gòu)的電流注入?yún)^(qū)的半導(dǎo)體激光單元器件芯片；

將所述發(fā)光單元電流注入?yún)^(qū)按一定方式進(jìn)行光刻、蒸鍍；

根據(jù)特定要求，將所述半導(dǎo)體激光單元器件芯片的電流注入?yún)^(qū)按照一定的尺寸和形狀光刻、蒸鍍，使電流注入?yún)^(qū)更加細(xì)化，半導(dǎo)體激光單元器件芯片慢軸方向光場按所述特定要求分布。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述發(fā)光單元具有精細(xì)結(jié)構(gòu)的電流注入?yún)^(qū)，是半導(dǎo)體激光單元器件芯片的電流注入?yún)^(qū)具有均勻的至少兩個波浪形結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述使半導(dǎo)體激光單元器件芯片慢軸方向光場按所述特定要求分布，是通過改變所述發(fā)光單元的電流注入?yún)^(qū)的精細(xì)結(jié)構(gòu)，獲得半導(dǎo)體激光單元器件芯片慢軸方向光場分布為平頂化的光場分布。

4.改變半導(dǎo)體激光器件芯片慢軸方向光場分布的方法，該方法適用于陣列器件芯片，主要步驟包括：

選取多個發(fā)光單元具有精細(xì)結(jié)構(gòu)的電流注入?yún)^(qū)的半導(dǎo)體激光陣列器件芯片；

將各發(fā)光單元電流注入?yún)^(qū)按一定方式依次排列進(jìn)行光刻、蒸鍍；

根據(jù)特定要求，將所述半導(dǎo)體激光陣列器件芯片的電流注入?yún)^(qū)按照一定的尺寸和形狀光刻、蒸鍍，使電流注入?yún)^(qū)更加細(xì)化，半導(dǎo)體激光陣列器件芯片慢軸方向光場按所述特定要求分布。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述陣列器件各發(fā)光單元的電流注入?yún)^(qū)的排列方式為按照從左至右依次排列。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體激光陣列器件芯片的電流注入?yún)^(qū)為均勻的至少兩個波浪形結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述使半導(dǎo)體激光陣列器件芯片慢軸方向光場按所述特定要求分布，是通過改變各發(fā)光單元的電流注入?yún)^(qū)的精細(xì)結(jié)構(gòu)，獲得半導(dǎo)體激光陣列器件芯片慢軸方向光場分布為平頂化的光場分布。