[發(fā)明專利]一種硼元素均勻分布的多晶硅鑄錠工藝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410123795.5 | 申請日： | 2014-03-28 |
| 公開（公告）號： | CN103882518A | 公開（公告）日： | 2014-06-25 |
| 發(fā)明（設計）人： | 譚毅;李鵬廷;任世強;石爽;姜大川 | 申請（專利權）人： | 大連理工大學 |
| 主分類號： | C30B29/06 | 分類號： | C30B29/06;C30B28/06;C30B31/04 |
| 代理公司： | 大連東方專利代理有限責任公司 21212 | 代理人： | 趙淑梅;李馨 |
| 地址： | 116024 遼*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 元素 均勻分布 多晶 鑄錠 工藝 | ||
【權利要求書】：
1.一種硼元素均勻分布的多晶硅鑄錠工藝，包括多晶硅生長步驟，其特征在于：所述多晶硅生長步驟包括七個多晶硅生長階段，每個生長階段的時間為3～4h，各個階段的生長速率依次為1.3cm/h、1.2cm/h、1.1cm/h、1.0cm/h、0.9cm/h、0.8cm/h、0.7cm/h。
2.根據權利要求1所述的工藝，其特征在于：所述工藝于鑄錠爐中進行，所述多晶硅生長步驟中爐內氣體壓強為50～70KPa。
3.根據權利要求2所述的工藝，其特征在于：所述工藝包括原料熔化步驟：爐內氣體壓強為40～60kPa，在坩堝內原料溫度為1550～1560℃下保溫，直到原料完全熔化。
4.根據權利要求2所述的工藝，其特征在于：所述工藝包括退火步驟：將多晶硅生長步驟所得晶錠于氣體壓強為50～70KPa、溫度為1300～1370℃下保溫4～5h。
5.根據權利要求2所述的工藝，其特征在于：所述工藝包括冷卻步驟：將退火步驟所得晶錠于氣體壓強為90～100KPa，自然冷卻至300～400℃。
6.根據權利要求2所述的工藝，其特征在于：所述工藝包括鑄錠預加熱步驟：將裝有原料的坩堝放入所用鑄錠爐后，抽真空至0.5～1Pa，加熱使坩堝內原料的溫度在5～8h內升溫至1550～1560℃。
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