[發明專利]摻氮改性的相變薄膜材料及其制備方法

有效

• 申請號: 201410123117.9
• 申請日: 2014-03-28
• 公開（公告）號: CN103887430B
• 公開（公告）日: 2016-10-26
• 發明（設計）人: 朱小芹;胡益豐;薛建忠;吳衛華;眭永興;鄭龍;袁麗;江向榮
• 申請（專利權）人: 江蘇理工學院
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;C23C14/35;C23C14/06
• 代理公司: 常州市江海陽光知識產權代理有限公司 32214
• 代理人: 孫培英

1.一種摻氮改性的相變薄膜材料，其特征在于：由Zn、Sb、N三種元素組成，其化學組成通式為N_x（Zn₁₅Sb₈₅）_1-x，其中0.29≤x≤0.49。

2.根據權利要求1所述的摻氮改性的相變薄膜材料，其特征在于：化學組成通式中0.32≤x≤0.41。

3.一種如權利要求1所述的摻氮改性的相變薄膜材料的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

①基片的準備，將基片洗凈烘干待用；

②磁控濺射的準備，在磁控濺射鍍膜系統中，將步驟①準備的待濺射的基片放置在基托上，將Zn₁₅Sb₈₅合金靶材安裝在磁控射頻濺射靶中，并將磁控濺射鍍膜系統的濺射腔室進行抽真空；然后向濺射腔室通入高純氬氣和高純氮氣至濺射腔室內氣壓達到0.15Pa～0.25Pa；

③N_x（Zn₁₅Sb₈₅）_1-x薄膜的制備，調節向濺射腔室通入的高純氬氣的流量為24?sccm?～27sccm，高純氮氣流量為3sccm～6sccm，濺射氣壓為0.15?Pa～0.25?Pa；設定濺射功率15W～25W；首先清潔Zn₁₅Sb₈₅靶材表面，待Zn₁₅Sb₈₅靶材表面清潔完成后，關閉Zn₁₅Sb₈₅靶上所施加的射頻電源，將待濺射基片旋轉到Zn₁₅Sb₈₅靶位，開啟Zn₁₅Sb₈₅靶位射頻電源，于室溫下濺射20s～40s后得到摻氮改性的相變薄膜材料。

4.根據權利要求3所述的摻氮改性的相變薄膜材料的制備方法，其特征在于：步驟①中進行基片清洗烘干操作時，先在超聲清洗機中將基片在丙酮中超聲清洗3～5分鐘，洗畢取出用去離子水沖洗；接著在超聲清洗機中將基片在乙醇中超聲清洗3～5分鐘，洗畢取出用去離子水沖洗，沖洗干凈后用高純N₂吹干表面和背面；吹干后的基片送入烘箱中烘干水汽，完成基片的準備。

5.根據權利要求3所述的摻氮改性的相變薄膜材料的制備方法，其特征在于：步驟③中清潔Zn₁₅Sb₈₅靶材表面時，將空基托旋轉到Zn₁₅Sb₈₅靶位，打開Zn₁₅Sb₈₅靶上所施加的射頻電源，開始對Zn₁₅Sb₈₅靶材進行濺射以清潔Zn₁₅Sb₈₅靶材表面，濺射時間為80s～120s。