[發明專利]支撐單元及包括該單元的基板處理裝置

在審

• 申請號: 201410122654.1
• 申請日: 2014-03-28
• 公開（公告）號: CN104078387A
• 公開（公告）日: 2014-10-01
• 發明（設計）人: 李元行
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/687;H01L21/3065
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 舒艷君;李洋

技術領域

本發明涉及基板處理裝置，詳細地涉及利用等離子體的基板處理裝置。

背景技術

為了制造半導體元件而對基板實施光刻、蝕刻、灰化、注入離子、沉積薄膜以及清洗等多種工序，從而在基板上形成所需的圖案。其中，蝕刻工序是去除形成在基板上的膜中被選擇的區域的工序，其使用濕式蝕刻和干式蝕刻。

其中，利用等離子體的蝕刻裝置用于干式蝕刻。通常，為了形成等離子體而在腔體的內部空間中形成電磁場，電磁場使向腔體內提供的處理氣體激發為等離子體狀態。

等離子體是指由離子或電子、自由基等構成的被離子化的氣體狀態。等離子體根據非常高的溫度、強電場或高頻電磁場（RF?Electromagnetic?Fields）而生成。在半導體元件制造工序中使用等離子體來實施蝕刻工序。蝕刻工序是通過等離子體所包含的離子粒子撞擊基板而實施的。

在利用等離子體的基板處理工序中，基板被支撐單元的上表面支撐。為了在基板處理工序中調節溫度，基板與支撐單元相互發生熱移動，從而基板的溫度得以調節。在支撐單元的上表面形成有一個或多個槽。向支撐單元上表面的槽提供熱傳遞氣體。在基板，熱通過向支撐單元與基板接觸的部分和支撐單元上表面的槽提供的熱傳遞氣體而移動，從而溫度得以調節。

發明內容

本發明的一目的在于，提供一種在利用等離子體的基板處理工序中能夠調節基板的各區域溫度的支撐單元及包括該單元的基板處理裝置。

本發明所要解決的技術問題并不限于上述的問題，所屬技術領域的技術人員能夠根據本說明書和附圖明確地理解未在上面說明的技術問題。

本發明提供基板處理裝置。

根據本發明的一實施例的基板處理裝置包括：在內部具有處理空間的腔體；位于上述腔體內并且支撐基板的支撐單元；向上述處理空間供給處理氣體的氣體供給單元；以及根據上述處理氣體產生等離子體的等離子體源，在上述支撐單元的上表面形成有環狀的突起，并且上述支撐單元包括:位于上述突起內側的內側槽；位于上述突起外側的外側槽；以及向上述內側槽和上述外側槽提供熱傳遞氣體的熱傳遞氣體供給線，上述內側槽與上述外側槽的深度互相不同。

上述內側槽位于中心區域并形成為圓形形狀，上述外側槽能夠形成為環形的圈（ring）形狀。

上述內側槽和上述外側槽能夠在其內部分別包括多個突出部。

上述突起的上端和上述突出部的上端能夠形成在同一高度。

在上方觀察時，上述內側槽的面積能夠比上述外側槽的面積寬。

上述外側槽的深度能夠比上述內側槽的深度深。

上述外側槽的體積能夠比上述內側槽的體積大。

上述外側槽的體積能夠與上述內側槽的體積相同。

上述熱傳遞氣體供給線能夠包括與上述內側槽連接的第1熱傳遞氣體供給線和與上述外側槽連接的第2熱傳遞氣體供給線。

上述支撐單元能夠包括靜電夾頭。

上述熱傳遞氣體能夠包括氦。

根據本發明的另一實施例的基板處理裝置包括：在內部具有處理空間的腔體；位于上述腔體內并且支撐基板的支撐單元；向上述處理空間供給處理氣體的氣體供給單元；以及根據上述處理氣體產生等離子體的等離子體源，在上述支撐單元的上表面形成有被供給熱傳遞氣體的互相分割的多個槽，并且上述支撐單元包括與上述槽連接并向上述槽供給熱傳遞氣體的熱傳遞氣體供給線，上述多個槽中的一部分槽的深度不同。

上述多個槽能夠在其內部分別包括多個突出部。

上述多個槽中的一部分槽的體積能夠互相不同。

在上方觀察時，上述多個槽中的一部分槽的面積能夠不同。

上述熱傳遞氣體供給線與上述多個槽的數量相同，上述熱傳遞氣體供給線能夠分別與上述多個槽連接。

此外，本發明提供支撐單元。

根據本發明的一實施例的支撐單元是在實施基板處理工序的腔體內部支撐基板的支撐單元，在上述支撐單元，在其上表面形成有圈形狀的突起，并且包括位于上述突起內側的內側槽和位于上述突起外側的外側槽以及向上述內側槽與上述外側槽提供熱傳遞氣體的熱傳遞氣體供給線，上述內側槽與上述外側槽的深度互相不同。

上述內側槽位于中心區域并形成為圓形形狀，上述外側槽能夠形成為環形的圈形狀。

上述內側槽和上述外側槽能夠在其內部分別包括多個突出部。

上述突起的上端和上述突出部的上端能夠形成在相同的高度。

在上方觀察時，上述內側槽的面積能夠比上述外側槽的面積寬。

上述外側槽的深度能夠比上述內側槽的深度深。