[發明專利]一種高光效紫外LED的外延生長方法有效
| 申請號： | 201410122630.6 | 申請日： | 2014-03-28 |
| 公開（公告）號： | CN103887378B | 公開（公告）日： | 2017-05-24 |
| 發明（設計）人： | 王曉波 | 申請（專利權）人： | 西安神光皓瑞光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 西安智邦專利商標代理有限公司61211 | 代理人： | 胡樂 |
| 地址： | 710100 陜西*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高光效 紫外 led 外延 生長 方法 | ||
1.一種高光效紫外LED的外延生長方法，其特征在于，主要包括以下步驟：
(1)以藍寶石作為生長基底，生長低溫AlN層；
(2)生長高溫AlN層；
(3)生長摻雜硅烷的n型AlGaN層；
(4)生長若干個周期AlGaN/AlxInyGa1-x-y層，其中生長AlGaN層時摻雜硅烷；
(5)生長若干個周期AlzInwGa1-z-wN/AlxInyGa1-x-yN層，作為量子阱結構有源區，其中生長AlzInwGa1-z-wN層時摻雜鎂；
(6)生長摻雜鎂p型AlGaN阻擋層；
(7)生長摻雜鎂的p型AlxInyGa1-x-yN層；
(8)最后生長重摻p+型AlxInyGa1-x-yN作為接觸層；
(9)氮氣氛圍下，退火；
以上x<z<1,w<y<1,0<z+w<1,0<x+y<1。
2.根據權利要求1所述的外延生長方法，其特征在于：0<x<0.30，0.30≤z<0.50，0<w<0.10，0.10≤y<0.20。
3.根據權利要求2所述的外延生長方法，其特征在于：
步驟(4)生長若干個周期AlGaN/AlxInyGa1-x-y層，每個周期是先生長3nm的AlxInyGa1-x-yN，接著生長12nm的AlGaN，生長過程中摻雜硅烷。
4.根據權利要求3所述的外延生長方法，其特征在于：
步驟(5)生長若干個周期AlzInwGa1-z-wN/AlxInyGa1-x-yN層，每個周期是生長3nm的AlxInyGa1-x-yN，再接著生長一層AlzInwGa1-z-wN并同時摻雜鎂元素。
5.根據權利要求1至4任一所述的外延生長方法，其特征在于：
在步驟(2)與步驟(3)之間，還進行生長若干個周期AlN/AlGaN超晶格結構；
和/或
在步驟(7)與步驟(8)之間，還進行生長摻雜鎂的若干周期的AlxInyGa1-x-yN/AlGaN超晶格層。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于西安神光皓瑞光電科技有限公司，未經西安神光皓瑞光電科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410122630.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
