[發明專利]基板處理裝置及基板處理方法

有效

• 申請號: 201410122616.6
• 申請日: 2014-03-28
• 公開（公告）號: CN104078326B
• 公開（公告）日: 2017-10-10
• 發明（設計）人: 小林健司;泉本賢治;巖﨑晃久;三浦丈苗;西東和英
• 申請（專利權）人: 斯克林集團公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司72003
• 代理人: 宋曉寶,郭曉東

技術領域

本發明涉及處理基板的技術。

背景技術

以往，在半導體基板（以下，簡稱為“基板”。）的制造工序中，利用多種基板處理裝置對基板進行各種處理。例如，通過向在表面上形成有抗蝕劑的圖案的基板供給藥液，來對基板的表面進行蝕刻等處理。另外，在蝕刻處理結束后，還進行去除基板上的抗蝕劑或者清洗基板的處理。

例如，在日本特開2004－158588號公報中，公開有利用去除液去除附著在基板上的有機物的基板處理裝置。在該基板處理裝置中，從純水噴嘴向旋轉的基板上供給純水，從而進行基板的清洗。

但是，公知有以下情況，即，在利用純水進行的基板的清洗處理中，由于在表面形成有絕緣膜的基板與電阻率大的純水之間的接觸等，而使基板帶電。當基板的帶電量增大時，可能產生在清洗過程中或清洗后的顆粒的再次附著或由放電導致的配線的損傷等。

作為抑制基板的帶電的方法，公知有以下方法：即，利用通過將二氧化碳溶解在純水中而使電阻率減小的二氧化碳水溶液來清洗基板。但是，當在基板上形成有銅配線時，在利用二氧化碳水溶液進行的清洗中，銅配線可能被二氧化碳水溶液腐蝕。另外，與利用純水進行的清洗相比，清洗處理所需要的成本增大。

發明內容

本發明涉及用于處理基板的基板處理裝置，其目的在于實現在適當地進行基板的清洗的同時抑制基板的帶電。

本發明的基板處理裝置具有：基板支撐部，支撐水平狀態的基板；噴嘴，從多個噴射口向所述基板的上表面的中央部噴射作為清洗液的純水；基板旋轉機構，使所述基板支撐部與所述基板一起以朝向上下方向的中心軸為中心旋轉。根據本發明，能夠在適當地進行基板的清洗的同時抑制基板的帶電。

在本發明的一個優選的實施方式中，所述多個噴射口包含：中心噴射口，配置在中央；以及多個周邊噴射口，以等角度間隔地配置在以所述中心軸為中心的圓周上。

在本發明的其他的優選的實施方式中，所述多個噴射口配置在以所述中心軸為中心的半徑小于等于60mm的圓內。

在本發明的其他的優選的實施方式中，所述多個噴射口配置在以所述中心軸為中心且半徑小于等于所述基板的半徑的40％的圓內。

在本發明的其他的優選的實施方式中，從所述多個噴射口中的每一個噴射口噴射的所述清洗液的流量小于等于每分鐘1升。

在本發明的其他的優選的實施方式中，從所述多個噴射口中的至少一個噴射口噴射的所述清洗液的噴射方向與所述中心軸所成的角度大于等于30度。

在本發明的其他的優選的實施方式中，還具有用于形成被密閉的內部空間的密閉空間形成部，在該內部空間中，利用所述清洗液對所述基板進行清洗處理。

在本發明的其他的優選的實施方式中，從所述多個噴射口中的每一個噴射口連續地呈液柱狀地噴射所述清洗液。

本發明也用于處理基板的基板處理方法。

上述目的和其他目的、特征、形態以及優點，通過參照附圖來進行的本發明的詳細說明變得清楚。

附圖說明

圖1是一個實施方式的基板處理裝置的剖視圖。

圖2是上部噴嘴的仰視圖。

圖3是示出氣液供給部和氣液排出部的框圖。

圖4是示出基板處理裝置中的處理的流程的圖。

圖5和圖6是基板處理裝置的剖視圖。

圖7是示出基板的電位的圖。

圖8是示出比較例的基板處理裝置中的純水的流量與基板的電位之間的關系的圖。

圖9是示出基板上的純水的膜厚分布的圖。

圖10是示出上部噴嘴的其他例子的仰視圖。

圖11和圖12是示出噴射方向的傾斜角與基板的電位之間的關系的圖。

附圖標記的說明

1：基板處理裝置；

9：基板；

12：腔室；

15：基板旋轉機構；

91：（基板的）上表面；

120：腔室空間；

121：腔室主體；

122：腔室蓋部；

141：基板支撐部；

181：181b：上部噴嘴；

188：噴射口；

188a：中心噴射口；

188b：周邊噴射口；

J1：中心軸；

S11～S16：步驟。

具體實施方式