[發(fā)明專利]一種氫氧化鈷薄膜的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410122323.8
• 申請日: 2014-03-28
• 公開（公告）號: CN103911646A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發(fā)明（設計）人: 樊玉欠;王慧娟;邵光杰;馬志鵬;王桂玲;郭壯;侯爵;閆帥
• 申請（專利權）人: 燕山大學
• 主分類號: C25D11/34
• 分類號: C25D11/34;C25D5/54;C25D5/56;C25D3/12
• 代理公司: 石家莊一誠知識產(chǎn)權事務所 13116
• 代理人: 續(xù)京沙

1.一種制備氫氧化鈷薄膜的方法，其特征在于：該方法的步驟如下：

（1）首先在平面基體上通過沉積法獲得厚度為100-1000nm金屬鈷薄膜；

（2）然后將金屬鈷薄膜從基體剝離并浸入pH為10-15的電解液中，使金屬鈷薄膜與電解液中的溶解氧在室溫下反應1-30小時，此過程中薄膜由金屬顏色轉變?yōu)榫哂腥犴g性的半透明顏色；

（3）經(jīng)過去離子水洗滌3-5次、干燥后，即可得到氫氧化鈷薄膜，該薄膜是由六邊型氫氧化鈷納米顆粒相互交聯(lián)而成。

2.根據(jù)權利要求1所述的制備氫氧化鈷薄膜的方法，其特征在于：所述平面基體為各類導電或非導電的基體，并且適合通過某種方法在其上獲得金屬鈷薄膜。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的制備氫氧化鈷薄膜的方法，其特征在于：所述沉積法是指包括電沉積法或化學沉積法在內(nèi)的任一種或多種可以在基體上獲得金屬鈷薄膜的方法。

4.根據(jù)權利要求3所述的制備氫氧化鈷薄膜的方法，其特征在于：所述的將金屬鈷薄膜從基體剝離是通過機械剝離法、超聲法或化學方法中的一種或多種方法將金屬鈷薄膜從基體剝離。

5.根據(jù)權利要求1所述的制備氫氧化鈷薄膜的方法，其特征在于：所得的氫氧化鈷薄膜的厚度在100-1000nm。

6.根據(jù)權利要求1所述的制備氫氧化鈷薄膜的方法，其特征在于：所述pH為10-15的電解液是由濃度為0-5mol?L^-1的氨水、氫氧化鈉、氫氧化鉀，濃度為0-5mol?L^-1的各類導電鹽，如硫酸鈉、氯化鈉、碳酸鈉，以及濃度為0-0.1mol?L^-1的表面活性劑，如十二烷基硫酸鈉、四丁基溴化銨中的一種或多種組成。