[發明專利]污染物測量基底、設備及使用該設備制造基底的方法

有效

• 申請號: 201410120749.X
• 申請日: 2014-03-27
• 公開（公告）號: CN104345023B
• 公開（公告）日: 2018-12-21
• 發明（設計）人: 樸鐘秦
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: G01N15/10
• 分類號: G01N15/10
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 韓芳;劉燦強

本發明提供了一種污染物測量基底、設備及使用該設備制造基底的方法。用于制造基底的設備包括：室，提供在其中執行工藝的空間；污染物測量基底，包括被構造為收集污染物的基礎材料以及位于基礎材料上并限定基礎材料的坐標的激光標記；第一平臺，設置在室內，污染物測量基底在室的污染物的收集期間被安置在第一平臺上；第二平臺，設置在室的外側，污染物測量基底在收集在污染物測量基底上的室的污染物的測量期間被安置在第二平臺上；污染物測量光源，設置在第二平臺的上部，并且被構造為在收集在污染物測量基底上的室的污染物的測量期間利用光照射安置在第二平臺上的污染物測量基底。

本申請要求與2013年7月25日提交的第10-2013-0088059號韓國專利申請的優先權和全部權益，該韓國專利申請的公開內容通過引用全部包含于此。

技術領域

本發明涉及一種污染物測量基底、設備及使用該設備制造基底的方法。

背景技術

用于諸如有機發光顯示器（OLED）、液晶顯示器（LCD）或等離子體顯示器的顯示裝置的基底通過制造工藝被制造為成品。

制造工藝包括基底薄膜沉積工藝、涂覆工藝和組裝工藝，并且在各工藝室中執行制造工藝。

在通過制造工藝處理用于顯示裝置的基底的同時，因工藝室的一部分的開裂或老化而產生的污染物常常會吸附到基底。

發明內容

當吸附到用于顯示裝置的基底的污染物的數量超過參考值時，次等可能發生在用于顯示裝置的被制造為成品的基底中。

因此，需要在執行用于顯示裝置的基底的制造工藝之前，通過獲知在各工藝室中的污染物的量以及各工藝室的產生污染物的部分的位置來消除污染物產生的原因。

本發明的示例性實施例提供了一種污染物測量基底，該污染物測量基底在基底的實際工藝之前使用對室的污染物的測量，獲知污染物的產生位置并消除污染物的產生原因，能夠有效地防止經由實際工藝產生次等基底。

本發明的另一示例性實施例提供了一種用于制造基底的設備，該用于制造基底的設備在基底的實際工藝之前使用對室的污染物的測量，獲知污染物的產生位置并消除污染物的產生原因，能夠有效地防止經由實際工藝產生次等基底。

本發明的另一示例性實施例提供了一種用于制造基底的方法，該用于制造基底的方法通過在基底的實際工藝之前測量室的污染物，獲知污染物的產生位置并消除污染物的產生原因，能夠有效地防止經由實際工藝產生次等基底。

根據本發明的示例性實施例，提供了一種用于制造基底的設備，該用于制造基底的設備包括：室，提供在其中執行工藝的空間；污染物測量基底，包括被構造為收集污染物的基礎材料以及位于基礎材料上并限定基礎材料的坐標的激光標記；第一平臺，設置在室內，污染物測量基底在室的污染物的收集期間被安置在第一平臺上；第二平臺，設置在室的外側，污染物測量基底在收集在污染物測量基底上的室的污染物的測量期間被安置在第二平臺上；污染物測量光源，設置在第二平臺的上部，并且被構造為在收集在污染物測量基底上的室的污染物的測量期間利用光照射安置在第二平臺上的污染物測量基底。

根據本發明的另一示例性實施例，提供了一種制造基底的方法，該制造基底的方法包括以下步驟：準備包括基礎材料和激光標記的污染物測量基底，基礎材料被構造為收集污染物，激光標記位于基礎材料上并且在污染物測量基底上限定分別與基底的單位單元對應的多個單位區域；將污染物測量基底安置在第一平臺上并收集室的污染物，第一平臺設置在室內，室提供在其中執行工藝的空間；將污染物測量基底安置在設置在室的外部的第二平臺上，并且通過使用污染物測量光源利用光照射污染物測量基底來測量針對所述多個單位區域收集的室的污染物；將存在于與基底的各單位單元對應的所述多個單位區域中的各單位區域中的室的污染物的數量與參考值進行比較，并且確定存在于各單位區域中的室的污染物的數量是否超過參考值。