[發(fā)明專利]改變半導體激光器bar慢軸方向光場分布的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410120004.3 | 申請日： | 2014-03-27 |
| 公開（公告）號： | CN103944065B | 公開（公告）日： | 2017-01-11 |
| 發(fā)明（設計）人： | 王智勇;堯舜;賈冠男;潘飛;高祥宇;李峙 | 申請（專利權）人： | 江蘇華芯半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/40 | 分類號： | H01S5/40 |
| 代理公司： | 北京鴻元知識產(chǎn)權代理有限公司11327 | 代理人： | 陳英俊 |
| 地址： | 225500 江蘇省泰州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 改變 半導體激光器 bar 方向 分布 方法 | ||
【權利要求書】：
1.改變半導體激光器bar慢軸方向光場分布的方法，主要步驟包括：
選取bar條具有數(shù)個不同條寬的半導體激光陣列器件；
將各發(fā)光單元條寬按一定方式依次排列光刻；
在所述排列中各相鄰陣列器件之間，選取不同的間距；
根據(jù)特定要求，將所述半導體激光陣列器件的條寬和間距按照一定的尺寸光刻，使bar慢軸方向光場按所述特定要求分布。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述各陣列器件條寬排列方式為按照從左至右依次排列成為條形陣列。
3.根據(jù)權利要求2所述的方法，其特征在于，所述半導體激光陣列器件為非均勻的發(fā)光條形陣列，所述非均勻的發(fā)光條形陣列是指由具有至少一個不同的條寬和至少一個不同的間距形成的bar發(fā)光條形陣列。
4.根據(jù)權利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述使bar慢軸方向光場按所述特定要求分布，是通過改變各陣列器件的條寬和間距，獲得bar慢軸方向光場分布為平頂化的光場分布。
下載完整專利技術內(nèi)容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于江蘇華芯半導體科技有限公司，未經(jīng)江蘇華芯半導體科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410120004.3/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：一種液體過濾器自潔結構
- 下一篇：一種澄清槽
