[發明專利]存儲器件、以及存儲器件和存儲系統的操作方法

有效

• 申請號: 201410119959.7
• 申請日: 2014-03-27
• 公開（公告）號: CN104517643B
• 公開（公告）日: 2019-07-30
• 發明（設計）人: 李周炫
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;G11C29/44
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;毋二省

一種存儲器件的操作方法包括以下步驟：進入修復模式；響應于修復模式的進入，而將設定數據的輸入路徑從設定路徑改變成修復路徑；與設定命令一起接收設定數據；在所述接收被重復設定的次數之后結束修復模式；響應于修復模式的結束，而將設定數據的輸入路徑從修復路徑改變成設定路徑；以及利用設定數據而將用于存儲器件的缺陷存儲器單元的修復地址編程至非易失性存儲器。

相關申請的交叉引用

本申請要求2013年10月7日提交的申請號為10-2013-0119045的韓國專利申請的優先權，其全部內容通過引用合并于此。

技術領域

本發明的示例性實施例涉及一種存儲器件和包括所述存儲器件的存儲系統，且更具體而言，涉及一種修復相關的技術。

背景技術

圖1是用于解釋在典型的存儲器件（例如，DRAM）中的修復操作的視圖。

圖1說明與存儲器件中的一個存儲體相對應的配置。參見圖1，存儲器件包括：存儲器陣列110，其包括多個存儲器單元；行電路120，用于激活通過行地址R_ADD選中的字線；以及列電路130，用于存取（讀取或寫入）通過列地址選中的位線的數據。

行熔絲電路140將與存儲器陣列110中的缺陷存儲器單元相對應的行地址作為修復行地址REPAIR_R_ADD存儲。行修復電路150將存儲在行熔絲電路140中的修復行地址REPAIR_R_ADD與從存儲器件的外部輸入的行地址R_ADD進行比較。當修復行地址REPAIR_R_ADD與行地址R_ADD一致時，行修復電路150控制行電路120來激活冗余字線以代替由行地址R_ADD表示的字線。即，與存儲在行熔絲電路140中的修復行地址REPAIR_R_ADD相對應的行（字線）用冗余行（字線）來代替。

在圖1中，信號RACT表示如下的信號：響應于用于激活存儲器陣列110中的字線的激活命令而被激活，而響應于用于去激活字線的預充電命令而被去激活。此外，信號RD表示讀取命令，而信號WR表示寫入命令。

在行熔絲電路140中，主要使用激光熔絲。激光熔絲根據熔絲是否被切斷來存儲“高”或“低”數據。激光熔絲可以在晶片狀態下被編程，但是不能在晶片被安裝在封裝體中之后來編程激光熔絲。因為在減少激光熔絲的節距方面存在限制，所以難以設計具有小面積的激光熔絲。

因此，如在美國專利登記號為6904751、6777757、6667902、7173851和7269047中所公開的，諸如E熔絲陣列電路、與非（NAND）快閃存儲器、或非（NOR）快閃存儲器、MRAM（磁性隨機存取存儲器）、STT-MRAM（自旋轉移力矩-磁性隨機存取存儲器）、ReRAM（電阻式隨機存取存儲器）、或者PCRAM（相變隨機存取存儲器）的非易失性存儲器中的一種包括在存儲器件中，且修復信息（修復地址）存儲在非易失性存儲器中以供使用。

圖2是說明非易失性存儲器用于存儲器件中以存儲修復信息的實例的視圖。

參見圖2，存儲器件包括：多個存儲體BK0至BK3、被提供至相應的存儲體BK0至BK3來存儲修復信息的寄存器210_0至210_3、以及非易失性存儲器201。

非易失性存儲器201代替熔絲電路140。非易失性存儲器201存儲與全部的存儲體BK0至BK3相對應的修復信息，即修復地址。非易失性存儲器可以包括非易失性存儲器中的一種，諸如：E熔絲陣列電路、與非（NAND）快閃存儲器、或非（NOR）快閃存儲器、MRAM（磁性隨機存取存儲器）、STT-MRAM（自旋轉移力矩-磁性隨機存取存儲器）、ReRAM（電阻式隨機存取存儲器）、或者PCRAM（相變隨機存取存儲器）。