[發明專利]電容性傳感器

在審

• 申請號: 201410119002.2
• 申請日: 2014-03-27
• 公開（公告）號: CN104075651A
• 公開（公告）日: 2014-10-01
• 發明（設計）人: B·S·哈羅恩;R·穆胡帕一;P·M·埃默森
• 申請（專利權）人: 德克薩斯儀器股份有限公司
• 主分類號: G01B7/00
• 分類號: G01B7/00;G01B7/14;G01B7/02
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 趙蓉民

1.一種電容性傳感器，其包括：

至少第一和第二導電區，使得第一電容被形成在所述第一導電區和表面之間，并且第二電容被形成在所述第二導電區和所述表面之間；并且所述第一電容與所述第二電容的比率僅當所述電容性傳感器在與所述表面相距預定距離處時具有預定值。

2.根據權利要求1所述的電容性傳感器，其中所述第一電容與所述第二電容的所述比率的所述預定值在所述電容性傳感器在與所述表面相距預定距離處時等于1。

3.根據權利要求1所述的電容性傳感器，其中所述第一電容與所述第二電容的所述比率的所述預定值在所述電容性傳感器在與所述傳感器相距預定距離處時不等于1。

4.根據權利要求1所述的電容性傳感器，進一步包括凹陷在所述電容性傳感器的表面下方的所述第一和第二導電區中的至少一個。

5.根據權利要求1所述的電容性傳感器，進一步包括在所述第一和第二導電區中的至少一個與所述表面之間的介電層。

6.根據權利要求1所述的電容性傳感器，進一步包括所述電容性傳感器上的至少四個導電區的陣列。

7.根據權利要求1所述的電容性傳感器，其中所述電容性傳感器在磁盤驅動器的磁頭上。

8.根據權利要求7所述的電容性傳感器，其中所述表面是磁盤的表面。

9.根據權利要求1所述的電容性傳感器，其中所述預定距離是在襯底上的薄膜的預定厚度。

10.根據權利要求9所述的電容性傳感器，其中所述表面是所述襯底上的表面。

11.一種電路，其包括：

電容性電橋，其包括與第一傳感器電容串聯的第一參考電容，以及與第二傳感器電容串聯的第二參考電容，其中所述第一和第二傳感器電容被形成在電容性傳感器上的導電區和表面之間；

比較器，其比較第一電壓和第二電壓，該第一電壓來自所述第一參考電容與所述第一傳感器電容的接合點，該第二電壓來自所述第二參考電容與所述第二傳感器電容的接合點。

12.根據權利要求11所述的電路，其中所述比較器的輸出僅在所述第一與第二電壓的比率等于預定值時為零。

13.根據權利要求11所述的電路，其中所述導電區在磁盤驅動器的磁頭上，并且所述表面是磁盤的表面。

14.一種方法，其包括：

測量來自第一和第二電容的第一和第二電壓，其中所述第一和第二電容被形成在表面和電容性傳感器上的導電區之間；以及

當所述第一與第二電壓的比率等于預定比率時，確定所述電容性傳感器在與所述表面相距預期距離處。