[發明專利]TiWN硬質納米結構薄膜及制備方法有效
| 申請號： | 201410118327.9 | 申請日： | 2014-03-27 |
| 公開（公告）號： | CN103898457A | 公開（公告）日： | 2014-07-02 |
| 發明（設計）人： | 喻利花;許俊華;董鴻志 | 申請（專利權）人： | 江蘇科技大學 |
| 主分類號： | C23C14/34 | 分類號： | C23C14/34;C23C14/06 |
| 代理公司： | 南京經緯專利商標代理有限公司 32200 | 代理人： | 樓高潮 |
| 地址： | 212003 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | tiwn 硬質 納米 結構 薄膜 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種TiWN硬質納米結構薄膜，其特征在于是采用雙靶共焦射頻反應濺射法沉積在硬質合金或陶瓷基體上的，薄膜的分子式表示為Ti（W，N），薄膜厚度在2-3μm，Ti靶濺射功率230-280W，W靶濺射功率0-120W;當Ti靶功率為250W，W靶為90W時，薄膜硬度高達30.67GPa，摩擦系數和磨損率分別為0.531和3.662×10-8mm3·N-1mm-1。
2.權利要求1所述的TiWN硬質納米結構薄膜的制備方法，其特征在于，利用雙靶共焦射頻反應濺射法在硬質合金或陶瓷基體上沉積得到，沉積時，真空度優于3.0×10-5Pa,以氬氣起弧，氮氣為反應氣體進行沉積，濺射氣壓0.3Pa，氬氮流量比10:（1-3）,Ti靶濺射功率230-280W，W靶濺射功率0-120W。
3.根據權利要求2所述的TiWN硬質納米結構薄膜的制備方法，其特征在于，在基體上預先沉積純Ti作為過渡層。
4.根據權利要求2所述的TiWN硬質納米結構薄膜的制備方法，其特征在于，Ti靶濺射功率250W，W靶濺射功率為30-120W。
5.根據權利要求2所述的TiWN硬質納米結構薄膜的制備方法，其特征在于，Ti靶濺射功率250W，W靶濺射功率為60-120W。
6.根據權利要求2所述的TiWN硬質納米結構薄膜的制備方法，其特征在于，Ti靶濺射功率250W，W靶濺射功率為90W。
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