[發明專利]電平移位器和高電壓邏輯電路

有效

• 申請號: 201410118194.5
• 申請日: 2010-07-22
• 公開（公告）號: CN103944539B
• 公開（公告）日: 2016-11-30
• 發明（設計）人: 馬爾科·卡西亞
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: H03K3/356
• 分類號: H03K3/356;H03K19/0185
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 宋獻濤

1.一種設備，其包括：

電平移位器，其用以接收具有第一電壓范圍的至少一個輸入信號并提供具有第二電壓范圍的至少一個經電平移位的信號；

第一電路，其用以基于邏輯功能來處理所述至少一個輸入信號并提供具有所述第一電壓范圍的第一中間信號；

第二電路，其用以基于所述邏輯功能來處理所述至少一個經電平移位的信號并提供具有所述第二電壓范圍的第二中間信號；以及

輸出電路，其用以接收所述第一中間信號和所述第二中間信號并提供具有大于所述第一電壓范圍和所述第二電壓范圍中的每一者的第三電壓范圍的輸出信號。

2.根據權利要求1所述的設備，所述電平移位器包括

至少一個驅動器電路，其用以接收所述至少一個輸入信號并提供具有所述第二電壓范圍的至少一個驅動信號，以及

至少一個鎖存器，其耦合到所述至少一個驅動器電路且用以接收所述至少一個驅動信號并提供所述至少一個經電平移位的信號。

3.根據權利要求1所述的設備，所述第一電路和所述第二電路各自包括用以接收所述至少一個輸入信號或所述至少一個經電平移位的信號并基于所述邏輯功能來處理所述至少一個輸入信號或所述至少一個經電平移位的信號的邏輯電路。

4.根據權利要求1所述的設備，所述第一電路或所述第二電路分別包括用以獲得所述第一中間信號或所述第二中間信號的目標延遲和轉變的延遲電路。

5.根據權利要求1所述的設備，所述輸出電路包括

P溝道金屬氧化物半導體PMOS晶體管，其用以在源極處接收所述第一中間信號且在漏極處提供所述輸出信號，以及

N溝道金屬氧化物半導體NMOS晶體管，其耦合到所述PMOS晶體管且用以在源極處接收所述第二中間信號且在漏極處提供所述輸出信號。

6.一種方法，其包括：

電平移位具有第一電壓范圍的至少一個輸入信號以獲得具有第二電壓范圍的至少一個經電平移位的信號；

基于邏輯功能來處理所述至少一個輸入信號以獲得具有所述第一電壓范圍的第一中間信號；

基于所述邏輯功能來處理所述至少一個經電平移位的信號以獲得具有所述第二電壓范圍的第二中間信號；以及

基于所述第一中間信號和所述第二中間信號而產生具有第三電壓范圍的輸出信號，所述第三電壓范圍大于所述第一電壓范圍和所述第二電壓范圍中的每一者。

7.根據權利要求6所述的方法，所述電平移位所述至少一個輸入信號包括：

基于所述至少一個輸入信號而產生具有所述第二電壓范圍的至少一個驅動信號，以及

鎖存所述至少一個驅動信號以獲得所述至少一個經電平移位的信號。