[發明專利]疏水型氣相SiO2納米孔絕熱材料及其制備方法有效
| 申請號： | 201410117785.0 | 申請日： | 2014-03-26 |
| 公開（公告）號： | CN103936349A | 公開（公告）日： | 2014-07-23 |
| 發明（設計）人： | 段先健;陳燕玉;杜海晶;吳春蕾 | 申請（專利權）人： | 廣州吉必盛科技實業有限公司 |
| 主分類號： | C04B28/00 | 分類號： | C04B28/00;C04B14/06;C04B14/42 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 鄭彤 |
| 地址： | 510530 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 疏水 型氣相 sio sub 納米 絕熱材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種疏水型氣相SiO2納米孔絕熱材料，其特征在于，由以下原料組分制備而成：60-80wt%的疏水型氣相SiO2，3-10wt%的預處理玻璃纖維，8-20wt%的紅外遮蔽劑和3-10wt%的無機粘合劑；
所述疏水型氣相SiO2由如下方法制備而成：將質量比為88-90:10-12的氣相SiO2和表面處理劑混合均勻，然后在100-400℃下進行熱處理2-4h即得；
所述表面處理劑由質量比為4-5:3-5:2-3的聚硅氧烷類有機硅化合物、多烷氧基硅烷化合物和多烷基硅烷化合物組成。
2.根據權利要求1所述的疏水型氣相SiO2納米孔絕熱材料，其特征在于，所述聚硅氧烷類有機硅化合物選自端羥基聚硅氧烷或氨基聚硅氧烷。
3.根據權利要求2所述的疏水型氣相SiO2納米孔絕熱材料，其特征在于，所述聚硅氧烷類有機硅化合物為端羥基聚二甲基硅氧烷或端羥基聚甲基苯基硅氧烷。
4.根據權利要求1所述的疏水型氣相SiO2納米孔絕熱材料，其特征在于，所述多烷氧基硅烷化合物的結構式為R1—A—Si(OR2)3，其中R1為CH3，NH2，NH2C2H4NH，SH2，或NCO；A為0-3個碳原子組成的亞甲基；R2為CH3或C2H5。
5.根據權利要求1所述的疏水型氣相SiO2納米孔絕熱材料，其特征在于，所述多烷基硅烷化合物為三甲基氯硅烷、二甲基二氯硅烷、六甲基二硅氮烷、八甲基環四硅氧烷中的一種或幾種。
6.根據權利要求1-5任一項所述的疏水型氣相SiO2納米孔絕熱材料，其特征在于，所述預處理玻璃纖維的制備方法如下：將玻璃纖維浸入濃度為90wt%以上的硫酸溶液中，緩慢攪拌0.5-1.5h后取出，用水漂洗后在140-160℃下熱處理2-4h，冷卻到室溫即得。
7.根據權利要求1-5任一項所述的疏水型氣相SiO2納米孔絕熱材料，其特征在于，所述無機粘合劑為質量比1:2:1:1.5的煅燒高嶺土：硅灰石粉：硅酸鈉：硅藻土。
8.權利要求1任一項所述的疏水型氣相SiO2納米孔絕熱材料的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
（1）將氣相SiO2和表面處理劑混合均勻，然后在100-400℃下進行熱處理2-4h，得疏水性氣相SiO2；
（2）將疏水型氣相SiO2，預處理玻璃纖維，紅外遮蔽劑和無機粘合劑在室溫下高速攪拌混合2-5h，然后機械模壓、干燥、灼燒，即得所述疏水型氣相SiO2納米孔絕熱材料。
9.根據權利要求8所述的疏水型氣相SiO2納米孔絕熱材料的制備方法，其特征在于，步驟（1）中，混合步驟的工藝參數為：將氣相SiO2置于反應器中攪拌，攪拌速度500-700r/min，溫度110-300℃，攪拌1h后將表面處理劑以噴霧狀態加入反應器；熱處理步驟中攪拌速度為500-1000r/min。
10.根據權利要求8所述的疏水型氣相SiO2納米孔絕熱材料的制備方法，其特征在于，步驟（2）中，所述干燥和灼燒的工藝參數為：100-120℃下干燥2-3h，然后以1-10℃/min的升溫速率升溫至200-600℃，保溫2-4h。
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