[發明專利]一種用于半導體刻蝕設備的溫度控制系統及方法

有效

• 申請號: 201410117776.1
• 申請日: 2014-03-27
• 公開（公告）號: CN103887214B
• 公開（公告）日: 2016-10-26
• 發明（設計）人: 邵克堅;馮俊杰
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/66
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;林彥之

1.一種用于半導體刻蝕設備中的溫度控制系統，所述半導體刻蝕設備包括傳輸機臺、至少一個反應腔體部件、前端接口和至少一個裝載口，所述裝載口包括負載狀態傳感器，其特征在于，所述系統包括：

冷卻裝置，包括與所述反應腔體部件數量相等的管路、壓縮機和泵；其中，所述壓縮機內部的冷媒與來自管道中的冷卻劑進行熱交換，用泵將冷卻劑再通過管道分別打入所述反應腔體部件中進行熱交換；

流量控制單元，包括流量傳感器、流量控制閥和熱傳感器，所述流量傳感器裝在所述冷卻裝置的出口端并偵測流出端口的流量；所述流量控制閥根據所述熱傳感器檢測和流量傳感器的檢測結果來執行并保證所述反應腔體對溫度的需求；

節能控制單元，接收并根據所述傳輸機臺端的裝置口上的裝置負荷狀態傳感器的信號，通過流量控制單元控制所述泵的轉速工作在相應的裝置負荷狀態。

2.如權利要求1所述的溫度控制系統，其特征在于，所述裝置負荷狀態為兩種，一種為保持最低需求狀態，另一種為滿負荷運轉狀態；其中，所述最低需求狀態為任何一個所述裝載口均沒有晶圓盒載入，所述滿負荷運轉狀態為具有任意一個或多個所述裝載口有晶圓盒載入。

3.如權利要求1所述的溫度控制系統，其特征在于，每個所述管路中包括兩個熱傳感器，一個位于所述反應腔體部件的冷卻劑輸入端，另一個位于所述反應腔體部件的冷卻劑輸出端。

4.如權利要求1所述的溫度控制系統，其特征在于，所述流量控制單元和節能控制單元由上位機+下位機架構構成；其中，下位機為可編程控制器。

5.如權利要求1所述的溫度控制系統，其特征在于，流量傳感器和流量控制閥為流量計。

6.如權利要求1所述的溫度控制系統，其特征在于，所述半導體刻蝕設備為半導體干刻設備。

7.一種采用權利要求1所述系統的溫度控制方法，所述半導體刻蝕設備包括傳輸機臺、至少一個反應腔體部件、前端接口和至少一個裝載口，所述裝載口包括負載狀態傳感器，其特征在于，所述方法包括：

步驟S1：所述節能控制單元接收所述傳輸機臺端的裝置口上的裝置負荷狀態傳感器的信號；

步驟S2：所述流量控制單元接收裝置負荷狀態傳感器信號，并通過流量控制單元控制所述泵的轉速工作在相應的裝置負荷狀態。

8.如權利要求7所述的溫度控制方法，其特征在于，所述步驟S2具體包括：步驟S21：所述流量控制單元接收裝置負荷狀態傳感器信號為傳輸機臺閑置狀態時，控制所述泵的轉速保持在最低需求運行狀態，否則，執行步驟S22；步驟S22：控制所述泵全速運行。