[發明專利]位移控制單元有效
| 申請號: | 201410117601.0 | 申請日: | 2014-03-27 |
| 公開(公告)號: | CN104134423A | 公開(公告)日: | 2014-11-05 |
| 發明(設計)人: | 蔡永勝 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | G09G3/32 | 分類號: | G09G3/32;G11C19/28 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁揮;田景宜 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 位移 控制 單元 | ||
技術領域
本發明提供一種位移控制單元,尤指一種用于有機發光二極管(Organic?Light?Emitting?Diode,OLED)顯示裝置中的可調整發光脈沖寬度的位移控制單元。
背景技術
有機發光二極管顯示裝置(Organic?Light?Emitting?Diode,OLED)擁有高亮度、反應速度快、輕薄短小、廣色域、高對比、視野范圍廣、不需要液晶顯示裝置的背光源以及低耗電量等優點,逐漸成為新一代可攜式資訊產品及筆記型電腦普遍使用的顯示裝置,然而,其需要設計適當的柵極驅動電路以保證其穩定工作與顯示品質。
一般來說,有機發光二極管顯示裝置中的柵極驅動電路會產生多個發光脈沖信號及多個掃描信號來控制多個OLED像素的灰階表現及發光時間,而柵極驅動電路以多級的移位寄存器做為重要的核心電路,每一級的移位寄存器包含位移控制單元,位移控制單元包含多個薄膜晶體管(Thin?Film?Transistor,TFT)開關以及多個電容。而移位寄存器也是除了畫面像素電路之外,在面板內部最重要且最多的數字電路。因此,移位寄存器在電路架構設計上,除了基本功能要能夠正常工作外,其內部的位移控制單元也必需考量功率消耗,制成容忍度及布局面積等相關問題。
然而,現有的位移控制單元由于晶體管特性,常常在高低電位之間存在漏電路徑而導致柵極驅動電路輸出的發光脈沖信號及掃描信號失真而影響顯示器影像品質。另外,由于位移控制單元電路所需的TFT開關甚多,當移位寄存器的級數很大時會花費大量的布局面積及功率消耗,此外,利用位移控制單元實現的柵極驅動電路只能接受最多兩個系統時鐘脈沖寬度的脈沖信號的輸出及輸入,如此將造成每一個OLED像素發光時間被限制為最多兩個時鐘脈沖,因此當OLED顯示裝置在特殊應用上欲延長其發光時間時,位移控制單元電路將無法有彈性的被應用在柵極驅動電路中。
發明內容
本發明提供一種位移控制單元,包含第一晶體管,包含第一端用以接收輸入脈沖信號,控制端用以接收第一時鐘脈沖信號,及第二端;第二晶體管,包含第一端用以接收第二時鐘脈沖信號,控制端,及第二端;第一電容,包含第一端耦接于該第二晶體管的第二端,及第二端耦接于該第一晶體管的第二端;第三晶體管,包含第一端用以接收第一直流偏壓,控制端耦接于該第一晶體管的第二端,及第二端;第二電容,包含第一端用以接收該第一時鐘脈沖信號,及第二端耦接于該第三晶體管的第二端;第四晶體管,包含第一端用以接收第二直流偏壓,控制端耦接于該第一晶體管的第二端,及第二端耦接于該第二晶體管的控制端,用以輸出一發光脈沖信號;及第五晶體管,包含第一端耦接于該第四晶體管的第二端;一控制端耦接于該第三晶體管的第二端,及一第二端用以接收該第一直流偏壓。
本發明另提供一種位移控制單元,包含第一晶體管,包含第一端用以接收輸入脈沖信號,控制端用以接收第一時鐘脈沖信號,及第二端;第二晶體管,包含第一端用以接收第二時鐘脈沖信號,控制端,及第二端;第一電容,包含第一端耦接于該第二晶體管的第二端,及第二端耦接于該第一晶體管的第二端;第二電容,包含第一端用以接收該第一時鐘脈沖信號,及第二端;第三晶體管,包含第一端耦接于該第二電容的第二端,控制端耦接于該第一晶體管的第二端,及第二端用以接收第二直流偏壓;第四晶體管,包含第一端用以接收第一直流偏壓,控制端耦接于該第一晶體管的第二端,及第二端耦接于該第二晶體管的控制端,用以輸出發光脈沖信號;及第五晶體管,包含第一端耦接于該第四晶體管的第二端,控制端耦接于該第三晶體管的第一端,及第二端用以接收該第二直流偏壓。
附圖說明
圖1為本發明第一實施例的位移控制單元的電路示意圖。
圖2為圖1位移控制單元的輸入脈沖信號、第一時鐘脈沖信號、第二時鐘脈沖信號及發光脈沖信號在十個時鐘脈沖區間內的波形圖。
圖3為本發明第二實施例的位移控制單元的電路示意圖。
其中,附圖標記:
N1????????????????第一N型金氧半導體場效晶體管
N2????????????????第二N型金氧半導體場效晶體管
N3????????????????第三N型金氧半導體場效晶體管
N4????????????????第四N型金氧半導體場效晶體管
N5????????????????第五N型金氧半導體場效晶體管
P1????????????????第一P型金氧半導體場效晶體管
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