[發(fā)明專利]一種現(xiàn)場足跡的拍照方式有效
申請?zhí)枺?/td> | 201410117440.5 | 申請日: | 2014-03-27 |
公開(公告)號: | CN103838059A | 公開(公告)日: | 2014-06-04 |
發(fā)明(設(shè)計)人: | 何曉光;李博;萬德鵬 | 申請(專利權(quán))人: | 大連恒銳科技股份有限公司 |
主分類號: | G03B15/02 | 分類號: | G03B15/02 |
代理公司: | 北京元中知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11223 | 代理人: | 王明霞 |
地址: | 116023 遼寧省*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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摘要: | |||
搜索關(guān)鍵詞: | 一種 現(xiàn)場 足跡 拍照 方式 | ||
1.一種現(xiàn)場足跡的拍照方式,其特征在于:在掠射光與足跡承痕客體之間的入射角度足夠小的掠射光照明環(huán)境中定角度拍攝形成有足跡及足跡承痕客體的圖像,在漫反射光照明環(huán)境中定角度拍攝無足跡的足跡承痕客體的圖像,兩次拍攝形成可以進(jìn)行減層對比進(jìn)而獲得足跡圖像的兩幅圖像。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種現(xiàn)場足跡的拍照方式,其特征在于:掠射光照明環(huán)境中,掠射光與足跡承痕客體之間的入射角度為0-10度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種現(xiàn)場足跡的拍照方式,其特征在于:形成掠射光的掠射光源位于足跡寬度方向兩側(cè),掠射光源的長度方向與足跡的長度方向一致。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種現(xiàn)場足跡的拍照方式,其特征在于:掠射光掠射在目標(biāo)區(qū)域且足跡兩側(cè)的掠射光能夠相互補(bǔ)償使足跡的全部都能得到相應(yīng)的照明。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種現(xiàn)場足跡的拍照方式,其特征在于:形成掠射光的掠射光源采取條狀結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種現(xiàn)場足跡的拍照方式,其特征在于:形成掠射光的掠射光源采取準(zhǔn)直鏡或準(zhǔn)直鏡系統(tǒng)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種現(xiàn)場足跡的拍照方式,其特征在于:漫反射光照明環(huán)境中,采取面光源形成漫反射光。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或7所述的一種現(xiàn)場足跡的拍照方式,其特征在于:作為發(fā)出漫反射光的面光源位于足跡寬度方向兩側(cè),面光源的長度方向與足跡的長度方向一致。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種現(xiàn)場足跡的拍照方式,其特征在于:形成掠射光及漫反射光的光源均采用白光光源。
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