[發(fā)明專利]一種不銹鋼表面硅烷化處理膜的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410116791.4 | 申請日： | 2014-03-26 |
| 公開（公告）號： | CN103866262A | 公開（公告）日： | 2014-06-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉彥軍;曾建強 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京博賽德科技有限公司 |
| 主分類號： | C23C16/24 | 分類號： | C23C16/24;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京科億知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 湯東鳳 |
| 地址： | 北京市海淀區(qū)*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 不銹鋼 表面 硅烷 處理 制備 方法 | ||
1.一種不銹鋼表面硅烷化處理膜的制備方法，其特征在于：采用硅烷化處理劑四氫化硅與參雜劑氫化磷形成的混合氣體，通過化學氣相沉積，在不銹鋼表面形成一層無定型硅處理膜，所述的混合氣體中，四氫化硅的體積百分比為95-99%，氫化磷的體積百分比為0.1-5%。
2.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述的混合氣體中，四氫化硅的體積百分比為99.5%，氫化磷的體積百分比為0.5%。
3.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述的混合氣體中，四氫化硅的體積百分比為96%，氫化磷的體積百分比為4%。
4.如權(quán)利要求1-3任一項所述的制備方法，其特征在于：所述方法的具體步驟如下：將需要表面處理的不銹鋼罐放入化學氣相沉積室，清除不銹鋼表面水汽，將化學氣相沉積室抽至真空，再將四氫化硅與氫化磷混合氣體通入，氣相沉積氣壓控制范圍在0.1–500Pa，控制氣相沉積溫度在200-600℃，進行化學氣相沉積，沉積時間0.5-12小時，沉積完成后，通入氮氣，降至室溫。
5.如權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于：氣相沉積氣壓4Pa，沉積溫度320℃，氣相沉積時間2小時。
6.如權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于：相沉積氣壓100Pa，沉積溫度410℃，氣相沉積時間4.5小時。
7.如權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于：氣相沉積氣壓25Pa，沉積溫度450℃，氣相沉積時間6.8小時。
8.如權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于：氣相沉積氣壓400Pa，沉積溫度500℃，氣相沉積時間10小時。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
