[發明專利]一種不銹鋼表面硅烷化處理膜的制備方法

有效

• 申請號: 201410116791.4
• 申請日: 2014-03-26
• 公開（公告）號: CN103866262A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發明（設計）人: 劉彥軍;曾建強
• 申請（專利權）人: 北京博賽德科技有限公司
• 主分類號: C23C16/24
• 分類號: C23C16/24;C23C16/52
• 代理公司: 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350
• 代理人: 湯東鳳

1.一種不銹鋼表面硅烷化處理膜的制備方法，其特征在于：采用硅烷化處理劑四氫化硅與參雜劑氫化磷形成的混合氣體，通過化學氣相沉積，在不銹鋼表面形成一層無定型硅處理膜，所述的混合氣體中，四氫化硅的體積百分比為95-99%，氫化磷的體積百分比為0.1-5%。

2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述的混合氣體中，四氫化硅的體積百分比為99.5%，氫化磷的體積百分比為0.5%。

3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述的混合氣體中，四氫化硅的體積百分比為96%，氫化磷的體積百分比為4%。

4.如權利要求1-3任一項所述的制備方法，其特征在于：所述方法的具體步驟如下：將需要表面處理的不銹鋼罐放入化學氣相沉積室，清除不銹鋼表面水汽，將化學氣相沉積室抽至真空，再將四氫化硅與氫化磷混合氣體通入，氣相沉積氣壓控制范圍在0.1–500Pa，控制氣相沉積溫度在200-600℃，進行化學氣相沉積，沉積時間0.5-12小時，沉積完成后，通入氮氣，降至室溫。

5.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于：氣相沉積氣壓4Pa，沉積溫度320℃，氣相沉積時間2小時。

6.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于：相沉積氣壓100Pa，沉積溫度410℃，氣相沉積時間4.5小時。

7.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于：氣相沉積氣壓25Pa，沉積溫度450℃，氣相沉積時間6.8小時。

8.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于：氣相沉積氣壓400Pa，沉積溫度500℃，氣相沉積時間10小時。