[發明專利]一種碳化硅晶片腐蝕的方法和裝置有效
| 申請號： | 201410116764.7 | 申請日： | 2014-03-26 |
| 公開（公告）號： | CN103866398A | 公開（公告）日： | 2014-06-18 |
| 發明（設計）人： | 高玉強;宗艷民;寧敏;劉云青 | 申請（專利權）人： | 山東天岳晶體材料有限公司 |
| 主分類號： | C30B33/10 | 分類號： | C30B33/10;H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 濟南舜源專利事務所有限公司 37205 | 代理人： | 苗峻 |
| 地址： | 250118 山東*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 碳化硅 晶片 腐蝕 方法 裝置 | ||
1.一種腐蝕劑，其特征在于：所述腐蝕劑由KOH、NaOH與氟鹽三種組分構成，
其中所述氟鹽包括NaF、KF、CaF2中的一種或幾種；
所述氟鹽在腐蝕劑中的摩爾分數為1-50%；同時所述腐蝕劑中KOH、NaOH的摩爾比為1:1。
2.一種碳化硅晶片腐蝕的方法，其特征在于：具體步驟如下:
（1）.將配比好的腐蝕劑放入坩堝，腐蝕劑的量保證在熔融后能夠浸沒全部樣品即可，同時將熱電偶放入保護裝置中，并將其放入坩堝內，且底部浸入腐蝕劑內；
（2）.將坩堝放入電阻爐中溫場均勻區域，設置電阻爐溫度為200～600℃。關閉爐門，開始升溫，達到預定溫度后，繼續保溫0.5～4h以使腐蝕劑徹底熔融并混合均勻；
（3）.待保溫結束后，將待腐蝕晶片裝入承載裝置中，并將其放入坩堝中，確保腐蝕劑熔體浸沒全部晶片，關閉爐門開始腐蝕，腐蝕時間1～60min；
（4）.腐蝕完成后將晶片連同承載裝置取出，冷卻清洗，即可進行檢測，驗證腐蝕的效果。
3.根據權利要求2中所述的腐蝕方法，其特征在于：步驟（3）中的腐蝕溫度為300-500℃。
4.一種碳化硅晶片腐蝕的裝置，其特征在于：包括帶有保護蓋（4）的腐蝕坩堝（1）和放置在坩堝（1）內的晶片承載裝置，所述的腐蝕坩堝（1）上部帶有保護蓋（4），所述保護蓋（4）與坩堝（1）頂端開口對應，且保護蓋上下兩側均設置有掛鉤（5）和（6）；
所述的晶片承載裝置包括采用鎳金屬絲編織的網桶（9），網桶（9）內設置有傾斜向下的多層鎳金屬絲編織網格（10）；所述的網桶（9）頂部通過鎳制的鎖鏈（8）連接有掛鉤（7）；
所述坩堝（1）內還設置有鎳制熱電偶保護裝置（3），其內設置有熱電偶（2）。
5.根據權利要求4所述的裝置，其特征在于：所述晶片承載裝置的網格層數為2～12層，網格的直徑為170-200mm，網格之間間隔1cm。
6.根據權利要求4所述的裝置，其特征在于：每層網格呈0～45度傾斜。
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