[發明專利]氮化鎵磊晶生長方法

在審

• 申請號: 201410116061.4
• 申請日: 2014-03-26
• 公開（公告）號: CN104952998A
• 公開（公告）日: 2015-09-30
• 發明（設計）人: 鄭克勇;王佑立;楊偉臣;邱紹諺
• 申請（專利權）人: 鄭克勇
• 主分類號: H01L33/32
• 分類號: H01L33/32;C30B29/38
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 張德斌

1.一種氮化鎵磊晶生長方法，包含以下步驟：

（1）提供半導體積層或異質基板；

（2）形成位于該半導體積層或該異質基板上的平臺，以起到軟性納米壓印的作用；

（3）在該半導體積層或該異質基板上形成納米柱或納米洞；以及

（4）在該半導體積層或該異質基板上形成異質磊晶區域；

其中，步驟(3)中的該納米柱與該納米洞的形成又包含：

（i）利用預定周期的該軟性納米壓印于該半導體積層或該異質基板上；

（ii）對該半導體積層或該異質基板上執行一次干式蝕刻，以轉印納米圖案；以及

（iii）進行剝離工序，使該納米圖案以形成該納米柱或該納米洞于該半導體積層或該異質基板上。

2.如權利要求1的方法，其中，該半導體積層或該異質基板包含上層區塊與下層區塊，該下層區塊為該平臺并緊鄰該半導體積層或該異質基板上表面；以及，該上層區塊與該半導體積層或該異質基板為一體成型且連續性銜接成該納米柱或該納米洞的圖案化層。

3.如權利要求2的方法，其中，該上層區塊是由該軟性納米壓印于納米光阻層后，并移除該半導體積層或該異質基板；以及，該納米光阻層則是由氧等離子蝕刻成該納米柱或納米洞。

4.一種氮化鎵磊晶生長方法，包含：

提供基板；

形成位于該基板上以作為軟性納米壓印的平臺；

形成納米柱或納米洞于該基板上；以及

形成異質磊晶區域于該基板上；

其中，該基板包含上層區塊與下層區塊；該下層區塊緊鄰該基板的上表面，該下層區塊為軟性納米壓印的該平臺；以及，該上層區塊一體成型且連續性銜接該基板以形成納米級納米柱或納米洞的圖案化層。

5.如權利要求4的方法，其中，該基板為半導體積層或異質基板。

6.如權利要求5的方法，其中，該平臺是將PECVD或熱蒸鍍沉積以獲得介電層與氧化物層，再將軟性納米壓印于納米光阻層；以及，利用氧等離子蝕刻該納米光阻層成該納米柱或納米洞。

7.如權利要求6的方法，其中，上層區塊是由該介電層或該氧化物層被移除，再干式蝕刻除去該介電層或該氧化物層以形成該納米柱或納米洞。

8.如權利要求7的方法，其中，上層區塊是由其間的該納米柱或納米洞，在干式或濕式蝕刻除去部分該基板而轉印該納米柱或納米洞于該基板。

9.一種氮化鎵磊晶生長的方法，其包括：

提供半導體積層或異質基板；

該半導體積層或異質基板構成接觸氮化鎵材料的介面；

軟性納米平臺壓印于該半導體積層或該異質基板；以及

轉印的納米柱或納米洞，再以分子束磊晶生長氮化鎵材料轉印的納米柱或納米洞于半導體積層或異質基板。

10.如權利要求9的方法，其中，利用干式或濕式蝕刻除去部份該半導體積層或該異質基板，以獲得的深度約為200nm的氮化鎵層于該半導體積層或該異質基板。