[發明專利]具有增加的溝道面積的半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 200910178583.6
• 申請日: 2007-03-27
• 公開（公告）號: CN101673767A
• 公開（公告）日: 2010-03-17
• 發明（設計）人: 趙俊熙
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 顧晉偉;王春偉

1.一種半導體器件，包括：

有源區域，其限定至少四個表面，該四個表面包括第一、第二、第三 和第四表面；

柵極絕緣層，其包圍所述有源區域的四個表面而形成；和

柵電極，其形成為包圍所述柵極絕緣層和所述有源區域的四個表面的 環形，

其中所述有源區域由在所述柵電極之間支撐所述有源區域的柱狀物所 支撐。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中：

所述柵電極包括兩個水平部份和限定在所述兩個水平部份之間的兩個 垂直部份。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中：

所述有源區域具有長軸和短軸；并且

所述柵電極在短軸方向上環繞所述有源區域的一部份。

4.一種制造半導體器件的方法，該方法包括：

在襯底上形成有源區域，該有源區域具有限定第一、第二、第三和第 四溝道的第一、第二、第三和第四表面；

包圍所述有源區域形成柵極絕緣層，以隔離所述第一、第二、第三和 第四表面；和

包圍所述柵極絕緣層和所述有源區域的第一、第二、第三和第四表面 形成環形柵電極，

其中所述有源區域由在所述柵電極之間支撐所述有源區域的柱狀物所 支撐。

5.根據權利要求4所述的方法，其中所述柵電極被用來控制在第一、第 二、第三和第四溝道中流動的電流。

6.根據權利要求4所述的方法，其中連接所述有源區域的第一、第二、 第三和第四表面，以限定為多邊形的結構。