[發明專利]一種用于無源器件的半導體襯底的制作方法在審
| 申請號： | 201410115034.5 | 申請日： | 2014-03-26 |
| 公開（公告）號： | CN104952726A | 公開（公告）日： | 2015-09-30 |
| 發明（設計）人： | 陳林;杜海 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/324 | 分類號： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 無源 器件 半導體 襯底 制作方法 | ||
1.一種用于無源器件的半導體襯底的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1），提供半導體襯底，于第一溫度下對所述半導體襯底進行第一退火處理，使半導體襯底中的間隙氧往外擴散；
步驟2），于第二溫度下對所述半導體襯底進行第二退火處理，使半導體襯底中的間隙氧成核形成第一氧沉淀；
步驟3），于第三溫度下對所述半導體襯底進行第三退火處理，使所述第一氧沉淀吸收間隙氧形成第二氧沉淀；
其中，所述第一溫度及第三溫度大于所述第二溫度，所述第二氧沉淀的體積大于所述第一氧沉淀的體積。
2.根據權利要求1所述的用于無源器件的半導體襯底的制作方法，其特征在于：所述第一溫度的范圍為900～1150℃。
3.根據權利要求1所述的用于無源器件的半導體襯底的制作方法，其特征在于：所述第一退火處理的時間范圍為1～240min。
4.根據權利要求1所述的用于無源器件的半導體襯底的制作方法，其特征在于：所述第二溫度范圍為600～800℃。
5.根據權利要求1所述的用于無源器件的半導體襯底的制作方法，其特征在于：所述第二退火處理的時間范圍為1～1500min。
6.根據權利要求1所述的用于無源器件的半導體襯底的制作方法，其特征在于：所述第三溫度的范圍為900～1150℃。
7.根據權利要求1所述的用于無源器件的半導體襯底的制作方法，其特征在于：所述第三退火處理的時間范圍為1～240min。
8.根據權利要求1所述的用于無源器件的半導體襯底的制作方法，其特征在于：所述第一退火處理、第二退火處理及第三退火處理的氣氛為氮氣及氬氣中的一種。
9.根據權利要求1所述的用于無源器件的半導體襯底的制作方法，其特征在于：所述半導體襯底為直拉單晶硅襯底。
10.根據權利要求9所述的用于無源器件的半導體襯底的制作方法，其特征在于：所述直拉單晶硅襯底在熱處理前的間隙氧濃度為1016～1018cm-3。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
