[發明專利]碳納米管透明導電薄膜的圖案化方法

有效

• 申請號: 201410114973.8
• 申請日: 2014-03-26
• 公開（公告）號: CN104945015A
• 公開（公告）日: 2015-09-30
• 發明（設計）人: 陳新江
• 申請（專利權）人: 蘇州漢納材料科技有限公司
• 主分類號: C04B41/53
• 分類號: C04B41/53
• 代理公司: 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32256
• 代理人: 王鋒

1.一種碳納米管透明導電薄膜的圖案化方法，其特征在于包括：

提供碳納米管透明導電薄膜，其包括選定基底和覆設于選定基底表面的透明導電層，所述透明導電層主要由碳納米管構成；

以具有設定鏤空圖形結構的掩模掩蓋所述透明導電層；

將所述透明導電薄膜置入蝕刻室內，通入載氣和工作氣體并生成可與任一種碳納米管反應生成氣態產物但不損傷所述基底和掩模的任一種等離子體，而后以所述等離子體將從所述掩模的鏤空圖形結構中暴露出的透明導電層局部區域完全除去，而使所述透明導電層被掩模遮蓋的其余區域被保留，完成對所述透明導電薄膜的圖案化處理。

2.根據權利要求1所述的碳納米管透明導電薄膜的圖案化方法，其特征在于包括如下步驟：

（1）在所述透明導電層上涂覆光刻膠，而后加工形成具有設定鏤空圖形結構的掩模；

（2）將所述透明導電薄膜置入蝕刻室內，并對蝕刻室進行抽真空處理，而后通入工作氣體并進行輝光放電，生成所述等離子體，其后以所述等離子體將從所述掩模的鏤空圖形結構中暴露出的透明導電層局部區域完全除去，而使所述透明導電層被掩模遮蓋的其余區域被保留；

（3）除去掩模，獲得具有設定圖案化結構的碳納米管透明導電薄膜。

3.根據權利要求1所述的碳納米管透明導電薄膜的圖案化方法，其特征在于，包括：至少在所述選定基底的相對的兩個側面上分別覆設至少一透明導電層。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的碳納米管透明導電薄膜的圖案化方法，其特征在于所述工作氣體為在等離子狀態下能與碳反應生成揮發性物質的潔凈氣體，包含空氣、氫氣、氮氣、氧氣、氮的氧化物中的任一種或多種的組合。

5.根據權利要求1-3中任一項所述的碳納米管透明導電薄膜的圖案化方法，其特征在于，當通入工作氣體后，所述蝕刻室內的氣壓維持在10-1000Pa。

6.根據權利要求1-3中任一項所述的碳納米管透明導電薄膜的圖案化方法，其特征在于，該方法中所述等離子體的激發功率在10-1000W，驅動方式包括頻率為13.56MHz的單一射頻驅動方式或者一個以上高頻與低頻電源組合而成的多頻電源驅動方式。

7.根據權利要求1-2中任一項所述的碳納米管透明導電薄膜的圖案化方法，其特征在于，該方法包括：

在所述透明導電薄膜置入蝕刻室之后，還對蝕刻室內腔進行了抽真空處理，使蝕刻室內的真空度達到5-100Pa，而后再通入工作氣體。

8.根據權利要求1-2中任一項所述的碳納米管透明導電薄膜的圖案化方法，其特征在于，該方法還包括：

完成對所述透明導電薄膜的圖案化處理后，再次對蝕刻室內腔進行抽真空處理，而后通入經高效過濾的潔凈壓縮空氣排空，并取出圖案化的透明導電薄膜。

9.根據權利要求1-2中任一項所述的碳納米管透明導電薄膜的圖案化方法，其特征在于，該方法還包括：

完成對所述透明導電薄膜的圖案化處理后，采用選定溶劑溶解去除所述掩模。