[發(fā)明專利]太陽能電池無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410114256.5 | 申請日: | 2014-03-25 |
| 公開(公告)號: | CN104157713A | 公開(公告)日: | 2014-11-19 |
| 發(fā)明(設計)人: | 楊政燁;南政圭 | 申請(專利權)人: | 三星SDI株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/05 | 分類號: | H01L31/05;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產(chǎn)權代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;韓芳 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 | ||
1.一種太陽能電池,所述太陽能電池包括:
基板;
第一電極,位于基板上;
中間連接層,位于第一電極上,中間連接層包括第一區(qū)域和第三區(qū)域;
光吸收層,位于中間連接層的第三區(qū)域上;以及
布線,位于中間連接層的第一區(qū)域上,
其中,中間連接層的第一區(qū)域的厚度與中間連接層的第三區(qū)域的厚度不同。
2.如權利要求1所述的太陽能電池,其中,中間連接層的第一區(qū)域的厚度比中間連接層的第三區(qū)域的厚度薄。
3.如權利要求2所述的太陽能電池,其中,中間連接層還包括第二區(qū)域,第二區(qū)域未被光吸收層和布線覆蓋并且位于第一區(qū)域和第三區(qū)域之間。
4.如權利要求3所述的太陽能電池,其中,中間連接層的第二區(qū)域的厚度與中間連接層的第一區(qū)域的厚度幾乎相等。
5.如權利要求3所述的太陽能電池,其中,中間連接層的第二區(qū)域的厚度與中間連接層的第三區(qū)域的厚度幾乎相等。
6.如權利要求3所述的太陽能電池,其中,中間連接層的第二區(qū)域保護第一電極的表面不滲透濕氣。
7.如權利要求2所述的太陽能電池,其中,光吸收層包括CIGS材料。
8.如權利要求7所述的太陽能電池,其中,第一電極包括鉬。
9.如權利要求8所述的太陽能電池,其中,中間連接層包括MoSex化合物,其中,x是自然數(shù)。
10.如權利要求2所述的太陽能電池,其中,中間連接層的第一區(qū)域的厚度為0.1nm至30nm。
11.如權利要求1所述的太陽能電池,其中,布線包括鉛、錫、銅、鋁、銀、金、鉑、鎳、鈷、鉭、鈦和它們的合金中的至少一種。
12.如權利要求1所述的太陽能電池,其中,中間連接層連續(xù)地設置在第一電極上。
13.如權利要求1所述的太陽能電池,其中,布線通過釬焊、超聲波釬焊、超聲波熔焊、銀膠和導電膠帶中的至少一種與中間連接層的第一區(qū)域結合。
14.如權利要求1所述的太陽能電池,其中,布線直接位于中間連接層的第一區(qū)域上。
15.如權利要求1所述的太陽能電池,所述太陽能電池還包括位于光吸收層和中間連接層的第三區(qū)域中的至少一個上的第二電極。
16.如權利要求15所述的太陽能電池,其中,第二電極位于光吸收層和中間連接層的第三區(qū)域上。
17.如權利要求15所述的太陽能電池,所述太陽能電池還包括位于光吸收層和第二電極之間的緩沖層。
18.如權利要求1所述的太陽能電池,其中,布線通過中間連接層的第一區(qū)域電連接到第一電極。
19.如權利要求18所述的太陽能電池,其中,光吸收層通過中間連接層的第三區(qū)域電連接到第一電極。
20.如權利要求1所述的太陽能電池,其中,中間連接層的第一區(qū)域和中間連接層的第三區(qū)域之間的厚度差通過選擇性地蝕刻中間連接層的與第一區(qū)域相對應的部分來實現(xiàn)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





