[發明專利]一種具有高反射率反射鏡的垂直結構發光二極管

無效

• 申請號: 201410114252.7
• 申請日: 2014-03-26
• 公開（公告）號: CN103872208A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發明（設計）人: 劉軍林;江風益
• 申請（專利權）人: 南昌大學
• 主分類號: H01L33/46
• 分類號: H01L33/46
• 代理公司: 江西省專利事務所 36100
• 代理人: 張文

1.一種具有高反射率反射鏡的垂直結構發光二極管，從下至上依次包括導電襯底、導電焊接層、P型層、發光層、具有粗化表面的N型層、N電極，其特征在于：在導電焊接層和P型層之間設有由Ag基反射鏡和低折射率介質反射鏡組成的復合反射鏡，若干個低折射率介質反射鏡均勻布置在Ag基反射鏡的上表面，且低折射率介質反射鏡所占的表面積占復合反射鏡的表面積的20-80%。

2.根據權利要求1所述的垂直結構發光二極管，其特征在于：低折射率介質反射鏡所占的表面積占復合反射鏡的表面積的40-60%。

3.根據權利要求1所述的垂直結構發光二極管，其特征在于：構成低折射率介質反射鏡的介質為SiO₂、真空或者空氣中的一種。

4.根據權利要求1所述的垂直結構發光二極管，其特征在于：P型層、發光層、具有粗化表面的N型層為AlGaInN基或者AlGaInP基材料體系中的一種。